【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种电子元件、一种电子结构及其制备方法，特别是关于一种包括测试垫的电子元件、电子结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体结构应用在各种领域，半导体结构的尺寸不断缩小以满足当前的应用要求。然而，在缩小尺寸的过程中会出现各种问题，并影响最终的电气特性、品质、成本及产量。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种电子元件，包括一基底、一导电结构、至少一个外部连接器及一底部钝化层。该导电结构设置于该基底上，包括一测试垫经配置以在一测试过程中被一探针接触。该外部连接器电性地连接到该导电结构，并从该电子元件的一表面曝露以用于一外部电气连接。该至少一个外部连接器的一垂直投影与该测试垫的一垂直投影重叠。该底部钝化层设置于该基底的一底面上。该导电结构更包括多个图案化金属层及一介电结构，其中该测试垫电性地连接到该多个图案化金属层，并且该测试垫及该多个图案化金属层嵌入该介电结构中。该至少一个外部连接器包括一导电通孔，且该底部钝化层包围该导电通孔。
2、本公开的另一个方面提供一种电子结构，包括一第一基底、一第一导电结构、一第二导电结构以及一互连支柱。该第一导电结构设置于该第一基底上，并包括一第一测试垫经配置以在一测试过程中被一探针接触。该第二导电结构设置于该第一基底下，并包括一第二测试垫经配置以
3、本公开的另一个方面提供一种制备方法。该制备方法包括在一第一基底中形成一第一导电通孔，并在该第一基底上形成一第一导电结构，其中该第一导电通孔电性地连接到该第一导电结构，该第一导电结构定义一第一开口以曝露其一第一测试垫，并且该第一导电通孔设置于该第一测试垫下；将该第一基底减薄以曝露该第一导电通孔；在一第二基底上形成一第二导电结构，其中该第二导电结构定义一第二开口，以曝露其一第二测试垫的一第一部分；形成一第二连接通孔以连接到该第二测试垫的一第二部分；将该第一基底堆叠于该第二导电结构上，其中该第一导电通孔连接到该第二连接通孔；以及在该第二基底中形成一第二导电通孔，其中该第二导电通孔电性地连接到该第二导电结构，且该第二导电通孔设置于该第二测试垫下。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种电子元件，包括：
2.如权利要求1所述的电子元件，更包括设置于该基底上的一电容器。
3.如权利要求1所述的电子元件，其中该介电结构定义一开口以曝露该测试垫的一第一部分，且该部分经配置以被一探针接触。
4.如权利要求3所述的电子元件，其中该测试垫的该第一部分其上具有一探针标记，该至少一个外部连接器的一垂直投影与该开口的一垂直投影重叠。
5.如权利要求3所述的电子元件，其中及至少一个外部连接器的一垂直投影位于该开口的一垂直投影之外。
6.如权利要求1所述的电子元件，其中该导电通孔延伸穿过该基底并从该电子元件的一底面曝露。
7.如权利要求6所述的电子元件，其中该底部钝化层的一底面与该导电通孔的一底面实质上对齐。
8.如权利要求1所述的电子元件，其中该至少一个外部连接器包括一连接通孔，连接到该测试垫的一第二部分并从该电子元件的一顶面曝露。
9.如权利要求8所述的电子元件，更包括一顶部钝化层，设置于该导电结构的一顶面上并包围该连接通孔，其中该顶部钝化层的一顶面与该连接通孔的一顶面实质上对
10.如权利要求1所述的电子元件，其中该至少一个外部连接器包括一导电通孔及一连接通孔，该导电通孔延伸穿过基底并设置于该导电结构下，该连接通孔延伸穿过该测试垫上的该导电结构的一介电结构的一部分，其中该测试垫设置于该导电通孔与该连接通孔之间，并且该连接通孔的一宽度小于该导电通孔的一宽度。
11.一种电子结构，包括：
12.如权利要求11所述的电子结构，其中该垂直电气路径穿过该第一基底。
13.如权利要求11所述的电子结构，其中该互连支柱包括一导电通孔及一连接通孔，且该连接通孔的一宽度小于该导电通孔的一宽度，其中该导电通孔延伸穿过该第一基底，以及该连接通孔连接到该第二测试垫。
14.如权利要求11所述的电子结构，其中该互连支柱包括一导电通孔及多个连接通孔，并且每个连接通孔的一宽度小于该导电通孔的一宽度。
15.如权利要求11所述的电子结构，更包括一键合层，以键合该第一基底与该第二导电结构，并且该电气路径穿过该键合层。
16.如权利要求15所述的电子结构，其中该第二导电结构定义一开口，以曝露该第二测试垫的一部分，并且该键合层延伸到该开口中，以接触该第二测试垫的该部分。
17.一种电子结构的制备方法，包括：
18.如权利要求17所述的电子结构的制备方法，更包括：
19.如权利要求18所述的电子结构的制备方法，更包括：
20.如权利要求19所述的电子结构的制备方法，更包括：
21.如权利要求17所述的电子结构的制备方法，其中该第一导电通孔与该第二连接通孔被熔合在一起以形成一互连支柱。
...【技术特征摘要】
1.一种电子元件，包括：
2.如权利要求1所述的电子元件，更包括设置于该基底上的一电容器。
3.如权利要求1所述的电子元件，其中该介电结构定义一开口以曝露该测试垫的一第一部分，且该部分经配置以被一探针接触。
4.如权利要求3所述的电子元件，其中该测试垫的该第一部分其上具有一探针标记，该至少一个外部连接器的一垂直投影与该开口的一垂直投影重叠。
5.如权利要求3所述的电子元件，其中及至少一个外部连接器的一垂直投影位于该开口的一垂直投影之外。
6.如权利要求1所述的电子元件，其中该导电通孔延伸穿过该基底并从该电子元件的一底面曝露。
7.如权利要求6所述的电子元件，其中该底部钝化层的一底面与该导电通孔的一底面实质上对齐。
8.如权利要求1所述的电子元件，其中该至少一个外部连接器包括一连接通孔，连接到该测试垫的一第二部分并从该电子元件的一顶面曝露。
9.如权利要求8所述的电子元件，更包括一顶部钝化层，设置于该导电结构的一顶面上并包围该连接通孔，其中该顶部钝化层的一顶面与该连接通孔的一顶面实质上对齐。
10.如权利要求1所述的电子元件，其中该至少一个外部连接器包括一导电通孔及一连接通孔，该导电通孔延伸穿过基底并设置于该导电结构下，该连接通孔延伸穿过该测试垫上的该导电结构的一介电结构的一部分，其中该测试垫设...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗翊仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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