南亚科技股份有限公司专利技术

南亚科技股份有限公司共有2444项专利

  • 一种封装结构包括第一基板、第二基板、晶片、第一导线以及第二导线。第一基板包括顶面、底面、窗口与第一导电垫。底面相对于顶面。窗口连通顶面与底面。第一导电垫位于底面上。第二基板位于第一基板上。第二基板分离于第一基板且包括第二导电垫。第二导电...
  • 本申请公开一种半导体元件的制备方法。该制备方法包含:提供一基底;在该基底上形成一第一介电层;沿该第一介电层形成一第一开口以及一第二开口;形成一层导电材料,以部分填充该第一开口、填充该第二开口,并覆盖该第一介电层的一顶面;执行一平坦化制程...
  • 本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底;设置于该基底上的一第一接触;一第一辅助特征包括:设置于该第一接触中的一底层部分,以及设置于该底层部分上与该第一接触的一顶面上的一封盖部分;设置于该基底上并与该第一接触分开的一...
  • 本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该导体元件结构包括一基底、一介电结构、一垫体、一导电结构、一缓冲结构、一晶体管、一第一连接特征及一第二连接特征。该介电结构设置在该基底上。该垫体嵌入在该介电结构中。该导电结构设置在该垫体上。该缓...
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底;形成一金属化层在该基底上;形成一遮罩图案在该金属化上;形成一宽度控制结构在该遮罩图案的一侧表面上以界定一间隙以暴露该金属化层;移除该遮罩图案;以及图案化该金属化层以形成一字元...
  • 本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该导体元件结构包括一基底、一介电结构、一垫体、一导电结构以及一缓冲结构。该介电结构设置在该基底上。该垫体嵌入在该介电结构中。该导电结构设置在该垫体上。该缓冲结构设置在该垫体上并将该导电结构与该介...
  • 一种半导体装置包括基板、字元线、字元线介电层、以及第一和第二源极/漏极区域。字元线埋入在基板内。字元线介电层设置在介于基板和字元线之间,并且字元线介电层包括第一氧化物层和第二氧化物层。第一氧化物层与字元线接触,并且经由原子层沉积工艺而形...
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底;形成一金属化层在该基底上;形成一第一牺牲层以及一第二牺牲层;形成一第一遮罩层以及一第二遮罩层,其中该第一遮罩层覆盖该第一牺牲层,该第二遮罩层覆盖该第二牺牲层;形成一第一宽度控...
  • 一种测试装置及其测试方法,测试装置方法包括:将存储器装置的核心电压设置为第一电压值,并将存储器装置的外围电压设置为第二电压值;通过基于核心电压和至少一个外围电压来访问存储器装置而测试存储器装置;将核心电压调整到第三电压值,并将存储器装置...
  • 一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底、多个电容器、第一支撑层以及多个隔离层。多个电容器设置于基底上。每个电容器沿着第一方向延伸。每个电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极,和将第一电容器电极与第二电容器电极分开的电容器介电质...
  • 本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一基板和一电子组件。该基板包括一图案化电路层并定义一穿孔。该图案化电路层的一延伸部分沿着该穿孔的一侧壁延伸。该电子组件具有位于该基板的该穿孔之上的一主动表面。该电子组件的该主动表面通过该...
  • 本揭露提供了一种半导体装置。半导体装置包含第一导线及第二导线。第一导线包含第一区段,第一导线的第一区段沿第一方向延伸并具有第一边,其中第一导线的第一区段的第一边和第一方向夹小于直角的第一角度。第二导线包含以第一角度偏离第一方向的第一区段...
  • 本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括基板、电子组件和封装体。该基板包括图案化电路层并定义穿孔。该图案化电路层的延伸部分沿着该穿孔的一侧壁延伸。该电子组件具有位于该基板的该穿孔之上的一主动表面。该电子组件的主动表面通过该穿孔...
  • 本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、多个电容器,以及一第一支撑层。该多个电容器设置于该基底上。每个电容器都沿着一第一方向延伸。该多个电容器中的每一个包括一第一电容器电极、一第二电容器电极,以及将该第一电容器电极...
  • 本公开提供一种电子元件。该电子元件包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管、一输出端子及一块体电压电路。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二...
  • 本公开提供一种电子元件及该电子元件的控制方法。该电子元件包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管以及一第二晶体管。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二电阻...
  • 本申请提供一种半导体元件及其薄膜沉积方法与设备。该薄膜沉积方法包括通过一固定组件将一半导体元件固定在一腔体中,其中该腔体由一气体扩散板与一底座定义,通过该气体扩散板从该腔体的一底面提供一反应气体,并在该半导体元件的一背面形成一第一介电层。
  • 本公开提供一种存储器元件以及该存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤包括提供一半导体基底,该半导体基底界定有一主动区,该主动区设置在该半导体基底上或是在该半导体基底中;形成一第一硬遮罩在该半导体基底上;形成一核心在该第一硬遮罩上,其中该...
  • 本揭示内容提供一种测试系统及方法。测试系统用以分析系统平台,并包括数据收集器以及测试监控器。数据收集器用以接收在系统平台的控制器以及存储器之间传输的信号,并用以处理信号以产生处理信号。测试监控器用以将处理信号编码为日志信息,从而依据日志...
  • 一种电子保险丝装置、测量其电阻的方法以及其形成方法。电子保险丝装置包括基板、位于基板上的绝缘层、第一保险丝栅极、第一通过栅极及第一读出电极。基板包括具有第一导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区和具有不同于第一导电类型的第二导电类...