【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子元件及其控制方法。特别涉及一种具有一分压器的电子元件。
技术介绍
1、一集成电路(ic)可以包括需要不同供应电压的多个电路部分。一电压产生器可以产生不同的供应电压。因此，具有改善结构的一电压产生器对于ic设计是有意义的。
2、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种电子元件，包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管以及一第二晶体管。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有一第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二电阻器并具有一第二块体。该第一晶体管的该第一块体接收一第一电压并且该第二晶体管的该第二块体接收一第二电压。该第一电压与该第二电压是不同的。
2、本公开的另一实施例提供一种电子元件，包括一分压器、一输出端子以及一块体电压电路。该分压器包括一第一可变电阻电路以及一第二可变电阻电路。该输出端子连接到该分压器。该块体电压电路，经配置以基于在该输出端子处的一供应电压而产生一第一电压以及不同的一第二电压。该第一可变电阻电路接收该第一电压并且该第二可变电阻电路接收该第二电压。
3、本公开的另一实施例提供一种电子元件的控制方法，包括通过导通或截止一第一晶体管以确定一第一可变电阻电路的一第一电阻值；通过导通或截止一第二晶体管以确定一
4、本公开的该电子元件包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管以及一第二晶体管。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有一第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二电阻器并具有一第二块体。该第一晶体管的该第一块体接收一第一电压并且该第二晶体管的该第二块体接收一第二电压。当该第一晶体管与该第二晶体管截止时，该第一电阻器与该第二电阻器经配置以在该第一电阻器的一端子处对一供应电压进行分压。该供应电压分配给该第一电阻器与该第二电阻器，该第一电阻器与该第二电阻器分别施加到该第一晶体管与该第二晶体管的源极或漏极。跨经源极/漏极与该第二晶体管的该块体之间的反向电压处于一适度等范围内。因此，源极/漏极的一接面与该第一晶体管和该第二晶体管的该块主体之间的反向漏电流可以相对较低，或者可以忽略不计。因此，源极/漏极与该第一晶体管和该第二晶体管的该块体的该接面的等效电阻可以足够高以被认为是一开路。因此，该第一和该第二晶体管的源极/漏极与该块主体的适度反向偏置接面的等效电阻不会影响该第一电阻器与该第二电阻器的分压。此外，该电子元件可以包括更多连接的电阻器以及分别与相应电阻器并联连接的晶体管。本公开的电子元件产生多个不同的电压到晶体管的该块体。因此，源极/漏极的接面与每个晶体管的块体的电压可以在一适度的范围内或处于一适度的数值。其间的接面漏电流可以相对较低，因此接面的高等效电阻不会影响多个电阻器的分压。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。
【技术保护点】
1.一种电子元件，包括：
2.如权利要求1所述的电子元件，还包括：
3.如权利要求2所述的电子元件，其中该供应电压、该第一电压以及该第二电压是不同的。
4.如权利要求2所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第三电阻器，连接该第一晶体管的该第一块体与该第二晶体管的该第二块体。
5.如权利要求4所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第四电阻器，将该第二晶体管的该第二块体连接到接第，且该第一电压与该第二电压的比值等于该第三电阻器与该第四电阻器的一总电阻值除以该第四电阻器的一电阻值。
6.如权利要求5所述的电子元件，还包括一第五电阻器，电性连接该第二电组器与接地。
7.如权利要求6所述的电子元件，还包括一第三电阻器，并联地连接到该第五电阻器，其中第三晶体管具有一第三块体，接收一第三电压，该第三电压不同于该第一电压与该第二电压，且该块体电压电路具有一第六电阻器，将该第四电阻器连接到接地。
8.如权利要求2所述的电子元件，还包括一第七电阻器以及一第四晶体管，该第七电阻器电性连接该输出端子与该第一电阻器，该
9.如权利要求1所述的电子元件，其中该第一晶体管具有一源极，电性连接到该第二晶体管的一漏极，且跨经该第二晶体管的该漏极与该第二块体的该电压在从0.8V到1.2V的一范围内。
10.如权利要求2所述的电子元件，其中该晶体管包括一p型MOSFET或n型MOSFET，且该电子元件经配置以将在该输出端子处的一供应电压分压成该第一电压与该第二电压。
11.一种电子元件，包括：
12.如权利要求11所述的电子元件，其中该第一可变电阻电路包括一第一晶体管，且该第二可变电阻电路包括一第二晶体管。
13.如权利要求12所述的电子元件，其中该第一晶体管具有一第一块体以接收该第一电压，且该第二晶体管具有一第二电压以接收该第二电压。
14.如权利要求12所述的电子元件，其中该第一可变电阻电路包括一第一电阻器，并联地连接到该第一晶体管，且该第二可变电阻电路包括一第二电阻器，并联地连接到该第二晶体管。
15.如权利要求12所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第三电阻器以及一第四电阻器，该第三电组器连接该输出端子与该第一晶体管的第一块体，该第四电阻器连接该第一晶体管的该第一块体与该第二晶体管的第二块体。
16.如权利要求11所述的电子元件，还包括一比较器，具有一第一输入、一第二输入以及一输出，该第一输入连接到在该第一可变电阻电路与该第二可变电阻电路之间的一节点，该第二输入接收一参考电压，该输出连接到该输出端子；其中该比较器经配置以基于在该第一输入处的一输入颠压与该参考电压之间的该比较而产生一输出信号在该比较器的该输出处。
17.如权利要求16所述的电子元件，还包括一电压泵控制电路，连接该输出端子与该比较器的该输出；其中该电压泵控制电路经配置以基于该输出信号而改变该供应电压。
18.如权利要求16所述的电子元件，其中该第一可变电阻电路具有一第一电阻值RA，且该第二可变电阻电路具有一第二电阻值RB，其中在该节点处的一电压与该供应电压的比值等于RB/(RA+RB)。
19.一种电子元件的控制方法，包括：
20.如权利要求19所述的控制方法，还包括比较该第一可变电阻电路与该第二可变电阻电路之间的一节点处的一电压与一参考电压以产生一输出信号，以及基于该输出信号而调整该供应电压。
...【技术特征摘要】
1.一种电子元件，包括：
2.如权利要求1所述的电子元件，还包括：
3.如权利要求2所述的电子元件，其中该供应电压、该第一电压以及该第二电压是不同的。
4.如权利要求2所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第三电阻器，连接该第一晶体管的该第一块体与该第二晶体管的该第二块体。
5.如权利要求4所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第四电阻器，将该第二晶体管的该第二块体连接到接第，且该第一电压与该第二电压的比值等于该第三电阻器与该第四电阻器的一总电阻值除以该第四电阻器的一电阻值。
6.如权利要求5所述的电子元件，还包括一第五电阻器，电性连接该第二电组器与接地。
7.如权利要求6所述的电子元件，还包括一第三电阻器，并联地连接到该第五电阻器，其中第三晶体管具有一第三块体，接收一第三电压，该第三电压不同于该第一电压与该第二电压，且该块体电压电路具有一第六电阻器，将该第四电阻器连接到接地。
8.如权利要求2所述的电子元件，还包括一第七电阻器以及一第四晶体管，该第七电阻器电性连接该输出端子与该第一电阻器，该第四晶体管并联地连接到该第七电阻器；其中该第四晶体管具有一第四块体，接收一供应电压，且该块体电压电路包括一第八电阻器，连接该第一电阻器与该输出端子。
9.如权利要求1所述的电子元件，其中该第一晶体管具有一源极，电性连接到该第二晶体管的一漏极，且跨经该第二晶体管的该漏极与该第二块体的该电压在从0.8v到1.2v的一范围内。
10.如权利要求2所述的电子元件，其中该晶体管包括一p型mosfet或n型mosfet，且该电子元件经配置以将在该输出端子处的一供应电压分压成该第一电压与该第二电压。
11.一种电子元件，包括：
12.如权利要求11...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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