【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/978,336号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年11月1日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体元件及其制备方法，特别是关于一种具有辅助特征的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件应用于各种领域，如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子装置。半导体元件的尺寸持续地缩小，以满足日益增长的计算能力的需求。然而，在缩小尺寸的过程中出现各种问题，而且这种问题在不断增加。因此，在实现提高品质、产量、性能以及可靠性与降低复杂性方面仍然存在挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括一基底；设置于该基底上的一第一接触；一第一辅助特征包括：设置于该第一接触中的一底层部分，以及设置于该底层部分上与该第一接触的一顶面上的一封盖部分；设置于该基底上并与该第一接触分开的一第二接触；以及设置于该第二接触上的一第二辅助特征。该第一辅助特征与该第二辅助特征包括锗或硅锗。
2、本公开的另一个方面提供一种半导体元件，包括一基底；设置于该基底中并彼此分开的多个杂质区；设置于该多个杂质区之间并设置于该基底中的一字元线结构；分别并对应地设置于该多个杂质区上的一第一接触及一第二接触；以及一第一辅助特征包括：设置于该第一接触中的一底层
3、本公开内容的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；在该基底上形成一第一介电层；沿该第一介电层形成一第一开口以及一第二开口；形成一层导电材料以部分填充该第一开口、填充该第二开口，并覆盖该第一介电层的一顶面；执行一平坦化制程，直到曝露该第一介电层的该顶面，将该层导电材料变成该第一开口中的一第一接触及该第二开口中的一第二接触；以及在该第一接触上形成一第一辅助特征，在该第二接触上形成一第二辅助特征。该第一辅助特征与该第二辅助特征包括锗或硅锗。
4、由于本公开的半导体元件的设计，第一接触与第二接触的接触电阻可以通过采用第一辅助特征及第二辅助特征而减少。因此，半导体元件的性能可以得到改善。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一接触的一厚度沿垂直于该基底的一顶面的一方向变化。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一接触的一宽度大于该第二接触的一宽度。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一接触的该宽度大于该第一接触的该厚度的2倍。
5.如权利要求4所述的半导体元件，更包括向内设置于该第二接触中的一第二凹槽；其中该第二接触的该宽度小于该第二接触的一厚度的2倍。
6.如权利要求5所述的半导体元件，更包括设置于该基底上的一第一介电层；其中该第一接触与该第二接触设置于该第一介电层中，并且该第一接触与该第二接触包括硅及/或锗，实质上没有氧与氮。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中在该第一接触的该顶面处的该底层部分的一宽度大于在该底层部分的一底部处的该底层部分的一宽度。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中在该底层部分的该底部处的该底层部分的该宽度大于在该底层部分的该底部上面的一第一垂直层面处的该底层部分的一宽度。
9.如权利要求8所
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一接触的该宽度大于60纳米，该第二接触的该宽度小于20纳米。
11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该封盖部分的一厚度与该第二辅助特征的一厚度实质相同。
12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该封盖部分的一厚度与该第二辅助特征的一厚度不同。
13.一种半导体元件，包括：
14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一接触的一厚度沿垂直于该基底的一顶面的一方向变化。
15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第一接触的一宽度大于该第二接触的一宽度。
16.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一接触的宽度大于该第一接触的厚度的2倍。
17.如权利要求16所述的半导体元件，其中该第一接触的该宽度大于60纳米，而该第二接触的该宽度小于20纳米。
18.一种半导体元件的制备方法，包括：
19.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，其中该第一接触与该第二接触包括硅及/或锗，实质上没有氧与氮。
20.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，其中该导电材料包括多晶硅、多晶锗或多晶硅锗。
...【技术特征摘要】
1.一半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一接触的一厚度沿垂直于该基底的一顶面的一方向变化。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一接触的一宽度大于该第二接触的一宽度。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一接触的该宽度大于该第一接触的该厚度的2倍。
5.如权利要求4所述的半导体元件，更包括向内设置于该第二接触中的一第二凹槽；其中该第二接触的该宽度小于该第二接触的一厚度的2倍。
6.如权利要求5所述的半导体元件，更包括设置于该基底上的一第一介电层；其中该第一接触与该第二接触设置于该第一介电层中，并且该第一接触与该第二接触包括硅及/或锗，实质上没有氧与氮。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中在该第一接触的该顶面处的该底层部分的一宽度大于在该底层部分的一底部处的该底层部分的一宽度。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中在该底层部分的该底部处的该底层部分的该宽度大于在该底层部分的该底部上面的一第一垂直层面处的该底层部分的一宽度。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一接触的一底面的一宽度与在该底层部分的该底部处的该底层部分的该宽度之间的差值小于该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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