【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/973,202号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年10月25日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体元件及其制备方法，特别是关于一种包括三维存储器结构的半导体元件。
技术介绍
1、随着电子产业的快速发展，集成电路(ic)亦实现高性能及小型化。集成电路在材料与设计的技术进步更产生新一代的集成电路，并且新一代的集成电路比上一代的电路更小、也更复杂。
2、动态随机存取存储器(dram)元件是一种随机存取存储器，它将每一位元数据存储在集成电路内的一个单独的电容器中。通常情况下，dram以每个胞(cell)一个电容器与晶体管的方形阵列排列。已经为4f2 dram单元开发出垂直晶体管，其中f代表光学微影(photolithographic)的最小特征宽度或关键尺寸(cd)。然而，近来随着字元线间距的不断缩小，dram制造商在最小化存储胞面积的方面面临着重大挑战。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、多个电容器，以及一第一支撑层。该多个电容器设置于该基底上。每个电容器都沿着一第一方向延伸。该多个电容器中的每一个包括一第一电容器电极、一第二电容器电极，以及将该第一电容器电极与该第二电容器电极分开的一电容
2、本公开的另一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底以及多个电容器。该基底具有一上表面。该多个电容器设置于该基底的该上表面上。该多个电容器沿实质垂直于该基底的该上表面的一平面设置。
3、本公开的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成多个隔离层以及多个第一导电层，其中该多个隔离层及该多个第一导电层交替堆叠；对该多个隔离层及该多个第一导电层进行图案化，以形成多个岛状结构；移除该多个隔离层的一第一部分，以曝露该多个第一导电层；形成一电容介电质，以覆盖该多个第一导电层；以及形成一第二导电层，以覆盖该电容介电质。
4、本公开的实施例提供一种半导体元件。半导体元件可以定义一个三维存储器元件。例如，电容器可以沿一平面设置，该平面实质上垂直于基底的上表面，这减少了半导体元件的整体厚度。此外，半导体元件可包括支撑层。支撑层可经配置以在制备过程中加强中间结构。支撑层可经配置以增加电容器的第一电容器电极的长度，并防止第一电容器电极倒塌，这可增加电容器的数量。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电容器的该第一电容器电极与该基底间隔开。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一支撑层与该基底接触。
4.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
5.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该互连线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极是一单片。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该互连线沿该第一方向延伸，而该晶体管包括一字元线，沿不同于该第一方向与该第二方向的一第三方向延伸。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该晶体管包括一通道层，通过该字元线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极间隔开，并且该通道层的材料与该电容器中的一个的该第一电容器电极的材料不同。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该字元线与该基底接触。
10.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
11.一种半导体元件，包括：
12.如权利要求11所述的半导体
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中每个电容器包括一电容器介电质，沿该第一方向包围该第一电容器电极。
14.如权利要求12所述的半导体元件，其中每个电容器包括一第二电容器电极，沿该第一方向包围该第一电容器电极。
15.如权利要求12所述的半导体元件，更包括：
16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该支撑层与该基底接触，而该基底包括一半导体材料。
17.如权利要求15所述的半导体元件，更包括：
18.如权利要求17所述的半导体元件，其中该互连线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极是一单片。
19.如权利要求17所述的半导体元件，更包括：
20.如权利要求19所述的半导体元件，更包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电容器的该第一电容器电极与该基底间隔开。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一支撑层与该基底接触。
4.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
5.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该互连线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极是一单片。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该互连线沿该第一方向延伸，而该晶体管包括一字元线，沿不同于该第一方向与该第二方向的一第三方向延伸。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该晶体管包括一通道层，通过该字元线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极间隔开，并且该通道层的材料与该电容器中的一个的该第一电容器电极的材料不同。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该字元线与该基底接触。
10.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：管式凡，潘威祯，林育廷，林惠如，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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