【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体来说涉及一种测试装置及其测试方法，且更具体来说，涉及用于验证电压效应对存储器装置的影响的测试方法。
技术介绍
1、在动态随机访问存储器(dynamic random access memory，dram)中，工作电压的变化总是影响dram的性能。在常规技术中，主要依赖于分析人员花费大量的时间在来自测试设备的测试仪器上，并且在测试过程期间测试操作不能被中断(以便不影响前后差异的结果)。
2、然而，在产品开发的早期阶段，如何有效地缩短dram的验证时间和分析效率对于设计者来说是极其重要的，因此需要创建一种简单且快速的验证方法。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种用于快速验证电压效应对存储器装置的影响的测试装置及其测试方法。
2、所述测试装置方法包括：将存储器装置的核心电压设置为第一电压值，并将存储器装置的外围电压设置为第二电压值；通过基于具有第一电压值的核心电压和具有第二电压值的至少一个外围电压来访问存储器装置而测试存储器装置；将核心电压调整到第三电压值，并将存储器装置的至少一个外围电压调整到第四电压值；通过基于具有第三电压值的核心电压和具有第四电压值的至少一个外围电压来读取存储器装置而测试存储器装置；将核心电压调整到第五电压值，并将存储器装置的至少一个外围电压调整到第六电压值；以及通过基于具有第五电压值的核心电压和具有第六电压值的至少一个外围电压来读取存储器装置而测试存储器装置。
3、所述测试装置包括控制器。所述控制器被配置成：将存
4、总而言之，本公开的测试装置提供一种用于根据联合电子装置工程委员会(jointelectron device engineering council，jedec)规范来验证低电压条件、正常电压条件和高电压条件对存储器装置的性能影响的测试方法。本公开的测试结果可被提供用于过程分析，并且可创建一种简单且快速的验证方案。如此一来，提高了存储器装置的验证时间和分析效率。
5、为了使上述内容更容易理解，以下结合附图详细阐述几个实施例。
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1.一种用于存储器装置的测试方法，包括：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其中所述第三电压值小于所述第一电压值，并且所述第五电压值大于所述第一电压值。
3.根据权利要求1所述的测试方法，其中所述第四电压值小于所述第二电压值，并且所述第六电压值大于所述第二电压值。
4.根据权利要求1所述的测试方法，其中所述核心电压小于所述至少一个外围电压。
5.根据权利要求1所述的测试方法，其中通过基于具有所述第一电压值的所述核心电压和具有所述第二电压值的所述至少一个外围电压来访问所述存储器装置而测试所述存储器装置的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的测试方法，其中将所述核心电压调整到所述第三电压值并将所述存储器装置的所述至少一个外围电压调整到所述第四电压值的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的测试方法，其中所述第一阶跃电压和所述第二阶跃电压中的每一者在5毫伏到10毫伏之间。
8.根据权利要求6所述的测试方法，其中将所述核心电压调整到所述第五电压值并将所述存储器装置的所述至少一个外围电压调整到所述第六电压值的步骤
9.根据权利要求8所述的测试方法，其中所述第三阶跃电压和所述第四阶跃电压中的每一者在5毫伏到10毫伏之间。
10.一种用于测试存储器装置的测试装置，包括：
11.根据权利要求10所述的测试装置，其中所述第三电压值小于所述第一电压值，并且所述第五电压值大于所述第一电压值。
12.根据权利要求10所述的测试装置，其中所述第四电压值小于所述第二电压值，并且所述第六电压值大于所述第二电压值。
13.根据权利要求10所述的测试装置，其中所述核心电压小于所述至少一个外围电压。
14.根据权利要求10所述的测试装置，其中所述控制器还被配置成：
15.根据权利要求10所述的测试装置，其中所述控制器还被配置成：
16.根据权利要求15所述的测试装置，其中所述控制器还被配置成：
17.根据权利要求10所述的测试装置，还包括：
18.根据权利要求10所述的测试装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于存储器装置的测试方法，包括：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其中所述第三电压值小于所述第一电压值，并且所述第五电压值大于所述第一电压值。
3.根据权利要求1所述的测试方法，其中所述第四电压值小于所述第二电压值，并且所述第六电压值大于所述第二电压值。
4.根据权利要求1所述的测试方法，其中所述核心电压小于所述至少一个外围电压。
5.根据权利要求1所述的测试方法，其中通过基于具有所述第一电压值的所述核心电压和具有所述第二电压值的所述至少一个外围电压来访问所述存储器装置而测试所述存储器装置的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的测试方法，其中将所述核心电压调整到所述第三电压值并将所述存储器装置的所述至少一个外围电压调整到所述第四电压值的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的测试方法，其中所述第一阶跃电压和所述第二阶跃电压中的每一者在5毫伏到10毫伏之间。
8.根据权利要求6所述的测试方法，其中将所述核心电压调整到所述第五电压值并将所述存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱耀昌，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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