【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件及其制备方法，特别是关于一种包括三维存储器结构的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子产业的快速发展，集成电路(ic)亦实现高性能及小型化。集成电路在材料与设计的技术进步更产生新一代的集成电路，并且新一代的集成电路比上一代的电路更小、也更复杂。
2、动态随机存取存储器(dram)元件是一种随机存取存储器，它将每一位元数据存储在集成电路内的一个单独的电容器中。通常情况下，dram以每个胞(cell)一个电容器与晶体管的方形阵列排列。已经为4f2 dram单元开发出垂直晶体管，其中f代表光学微影(photolithographic)的最小特征宽度或关键尺寸(cd)。然而，近来随着字元线间距的不断缩小，dram制造商在最小化存储胞面积的方面面临着重大挑战。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路>
1、本公开的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一支撑层与该基底接触。
3.如权利要求2所述的半导体元件，更包括：
4.如权利要求2所述的半导体元件，更包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该互连线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极是一单片。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该互连线沿该第一方向延伸。
7.如权利要求4所述的半导体元件，其中该晶体管包括一字元线，沿不同于该第一方向与该第二方向的一第三方向延伸。
8.如权利要求7所述的半导体元件，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一支撑层与该基底接触。
3.如权利要求2所述的半导体元件，更包括：
4.如权利要求2所述的半导体元件，更包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该互连线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极是一单片。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该互连线沿该第一方向延伸。
7.如权利要求4所述的半导体元件，其中该晶体管包括一字元线，沿不同于该第一方向与该第二方向的一第三方向延伸。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该晶体管包括一通道层，通过该字元线与该多个电容器中的一个的该第一电容器电极间隔开。...
【专利技术属性】
技术研发人员：管式凡，潘威祯，林育廷，林惠如，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。