【技术实现步骤摘要】
本
技术实现思路
涉及具有埋入式字元线的半导体装置和其制造方法。
技术介绍
1、半导体装置用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体装置的尺寸不断缩小，以满足不断增长的计算能力的需求。然而，在缩小的过程中会出现各种各样的问题，而且这些问题的数量和复杂性都在不断增加。因此，在实现提高质量、产量、性能和可靠性以及降低复杂性方面仍然存在挑战。
技术实现思路
1、本
技术实现思路
的一些实施方式提供了一种半导体装置，包括基板、字元线、字元线介电层、第一源极/漏极区域、以及第二源极/漏极区域。字元线埋在基板中。字元线介电层设置在介于基板和字元线之间，并且字元线介电层包括:第一氧化物层和第二氧化物层。第一氧化物层与字元线接触，并且经由原子层沉积(atomic layer deposition,ald)工艺而形成。第二氧化物层与基板接触，并且经由热氧化工艺而形成。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域设置在基板中并且高于字元线，其中字元线设置在侧向地介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。
2、在一些实施方式中，在半导体装置中，第一氧化物层具有范围从约10埃至约的第一厚度。
3、在一些实施方式中，在半导体装置中，第二氧化物层具有范围从约40埃至约65埃的第二厚度。
4、在一些实施方式中，在半导体装置中，第一氧化物层具有第一厚度，第二氧化物层具有第二厚度，并且第一厚度与第二厚度的比率在从约1/2至约1/6.5的范围内。
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6、在一些实施方式中，在半导体装置中，第二总厚度为第一总厚度的约85％至约98％。
7、在一些实施方式中，在半导体装置中，第三总厚度为第一总厚度的约68％至约92％。
8、在一些实施方式中，在半导体装置中，第一总厚度范围为从约50埃至约85埃。
9、在一些实施方式中，在半导体装置中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的每一者和字元线经由第一氧化物层和第二氧化物层而分隔。
10、本
技术实现思路
的一些实施方式提供了一种制造半导体装置的方法，方法包括：提供基板；在基板中形成沟槽；执行原子层沉积(ald)工艺以在沟槽中形成第一氧化物层；执行热氧化工艺以在沟槽中形成第二氧化物；填充导电材料到沟槽中以形成导电层；蚀刻导电层以形成字元线；形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，其中第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域设置在基板中并且高于字元线，并且字元线设置在侧向地介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。
11、在一些实施方式中，方法还包括在字元线上方设置覆盖层。
12、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，第一氧化物层具有范围从约10埃至约20埃的第一厚度。
13、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，第二氧化物具有范围从约40埃至约65埃的第二厚度。
14、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，在执行原子层沉积工艺之后执行热氧化工艺。
15、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，在执行热氧化工艺之后执行原子层沉积工艺。
16、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，字元线介电层设置在介于字元线和基板之间，字元线介电层包含第一氧化物层和第二氧化物层。字元线介电层具有在高于字元线底部40纳米处的第一总厚度，在低于字元线的顶部20纳米处的第二总厚度，在高于字元线的顶部20纳米处的第三总厚度。第一总厚度大于第二总厚度，并且第二总厚度大于第三总厚度。
17、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，第二总厚度为第一总厚度的约85％至约98％。
18、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，第三总厚度为第一总厚度的约68％至约92％。
19、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，第一总厚度范围为从约50埃至约85埃。
20、在一些实施方式中，在制造半导体装置的方法中，在基板中形成沟槽之后，基板具有暴露在沟槽中的基板边界，并且在执行原子层沉积工艺之后，第一氧化物层具有暴露在沟槽中的氧化物层边界。氧化物层边界偏离基板边界约10埃至20埃。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一氧化物层具有第一厚度，范围从10埃至20埃。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二氧化物层具有第二厚度，范围从40埃至65埃。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一氧化物层具有第一厚度，该第二氧化物层具有第二厚度，并且该第一厚度与该第二厚度的比率范围从1/2至1/6.5。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该字元线介电层具有：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第二总厚度是该第一总厚度的85％至98％。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第三总厚度是该第一总厚度的68％至92％。
8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一总厚度范围从50埃至85埃。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极区域和该第二源极/漏极区域中的每一者和该字元线经由该第一氧化物层和该第二氧化物层而分隔。
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11.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，还包含：在该字元线上方设置覆盖层。
12.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第一氧化物层具有第一厚度，范围从10埃至20埃。
13.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第二氧化物层具有第二厚度，范围从40埃至65埃。
14.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在执行该原子层沉积工艺之后执行该热氧化工艺。
15.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在执行该热氧化工艺之后执行该原子层沉积工艺。
16.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，字元线介电层设置在介于该字元线和该基板之间，该字元线介电层包含该第一氧化物层和该第二氧化物层，并且该字元线介电层具有：
17.如权利要求16所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第二总厚度是该第一总厚度的85％至98％。
18.如权利要求16所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第三总厚度是该第一总厚度的70％至90％。
19.如权利要求16所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第一总厚度范围从50埃至85埃。
20.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在所述在该基板中形成该沟槽之后，该基板具有暴露在该沟槽中的基板边界，并且在执行该原子层沉积工艺之后，该第一氧化物层具有暴露在该沟槽中的氧化物层边界，并且该氧化物层边界偏离该基板边界10埃至20埃。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一氧化物层具有第一厚度，范围从10埃至20埃。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二氧化物层具有第二厚度，范围从40埃至65埃。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一氧化物层具有第一厚度，该第二氧化物层具有第二厚度，并且该第一厚度与该第二厚度的比率范围从1/2至1/6.5。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该字元线介电层具有：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第二总厚度是该第一总厚度的85％至98％。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第三总厚度是该第一总厚度的68％至92％。
8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一总厚度范围从50埃至85埃。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极区域和该第二源极/漏极区域中的每一者和该字元线经由该第一氧化物层和该第二氧化物层而分隔。
10.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：
11.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，还包含：在该字元线上方设置覆盖层。
12.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴祐炘，詹惠慈，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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