【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体工艺领域，尤其涉及半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，存储器的集成度要求越来越高，性能标准越来越高。现有的半导体结构越来越难以满足发展的需要，因此，需要对存储器的结构进一步优化，以提高集成度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器；其中，半导体结构的制备方法能够以较少的光罩次数形成新颖的导线结构；从而，具有该导线结构的存储器能够避免存储单元的浪费，提高集成度。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：提供衬底；所述衬底上依次沉积有金属层和牺牲层；在所述牺牲层上，形成图案化的第一光刻胶层；沿所述第一光刻胶层刻蚀，去除所述牺牲层，将所述金属层刻蚀形成若干个导线结构；每个所述导线结构包括：两条沿第一方向并行延伸的第一区段以及连接两条所述第一区段的第二区段。
4、上述方案中，所述第一光刻胶层包括：若干条沿第一方向延伸的第一光刻胶结构和一条沿第二方向延伸的第二光刻胶结构；每条所述第一光刻胶结构和所述第二光刻胶结构相互交叉。
5、上述方案中，所述牺牲层至少包括：第一牺牲层；所述第一光刻胶层形成于所述第一牺牲层的表面；所述沿第一光刻胶层刻蚀，去除所述牺牲层，将金属层刻蚀形成若干个导线结构，包括：沿所述第一光刻胶层进行刻蚀，去除部分所述第一牺牲层，将所述第一牺牲层刻蚀形成硬掩膜层；所
6、上述方案中，所述对第一阻挡层进行回刻，形成第一掩膜，包括：对所述第一阻挡层进行回刻，去除部分所述第一阻挡层，直到暴露所述硬掩膜层的顶部，保留所述硬掩膜层的侧部的第一阻挡层作为所述第一侧墙和所述第二侧墙；其中，所述第一侧墙形成于所述第一心轴的侧部，所述第二侧墙形成于所述第二心轴的侧部；去除所述硬掩膜层，形成所述第一掩膜。
7、上述方案中，当所述导线结构的数量为n个时，所述第一光刻胶结构的数量大于等于n+1条。
8、上述方案中，所述牺牲层还包括：第二牺牲层；所述第一掩膜形成于所述第二牺牲层的表面；所述沿第一光刻胶层刻蚀，去除所述牺牲层，将金属层刻蚀形成若干个导线结构，还包括：在所述第一掩膜上形成图案化的第二光刻胶层；所述第二光刻胶层暴露所述第一掩膜的中部区域，且所述第二光刻胶层覆盖所述第一掩膜的剩余区域；沿所述第二光刻胶层和所述第一掩膜进行刻蚀，去除部分所述第二牺牲层，将所述第二牺牲层刻蚀形成第二掩膜；沿所述第二掩膜进行刻蚀，将所述金属层刻蚀形成若干个所述导线结构。
9、上述方案中，所述第一掩膜的中部区域在所述衬底的投影覆盖所述金属层的投影。
10、上述方案中，当所述导线结构的数量为n个时，所述第二光刻胶层暴露了所述第一掩膜的中部区域的2n个第一侧墙；并且，所述第二光刻胶层覆盖剩余所述第一侧墙；所述第二侧墙位于所述第一掩膜的中部区域，而被暴露。
11、上述方案中，所述第二牺牲层包括：第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层；所述第一掩膜形成于所述第二阻挡层的表面；所述第四阻挡层覆盖所述金属层；所述将第二牺牲层刻蚀形成第二掩膜，包括：沿所述第二光刻胶层和所述第一掩膜进行刻蚀，去除所述第二阻挡层，将所述第三阻挡层刻蚀形成所述第二掩膜。
12、上述方案中，所述沿第二掩膜进行刻蚀，将所述金属层刻蚀形成若干个所述导线结构，包括：沿所述第二掩膜进行刻蚀，去除部分所述第四阻挡层，将所述金属层刻蚀形成若干个导线结构；剩余部分所述第四阻挡层形成的结构设置于所述导线结构的顶部。
13、本公开实施例还提供一种半导体结构，所述半导体结构至少包括：n个存储阵列片；n个所述存储阵列片沿第一方向依次排布；第1个存储阵列片和第 n个存储阵列片中，包括：多个第一位线；所述第一位线包括：两条沿第一方向并行延伸的第一区段以及连接两条所述第一区段的第二区段；所述第一位线由上述方案所述的制备方法制备而成。
14、上述方案中，半导体结构还包括：n-1个读出放大模块和多条第二位线；第2至n-1个存储阵列片中，包括：多条第二位线；每个所述读出放大模块设置于相邻两个所述存储阵列片之间；每个所述存储阵列片包括：多个存储单元；针对第2至n-1个存储阵列片，其存储单元通过所述第二位线，电连接到与其相邻的读出放大模块；针对第1个和第n个存储阵列片，其存储单元通过所述第二位线，电连接到与其相邻的读出放大模块。
15、上述方案中，每个所述第一位线的两条所述第一区段的长度之和，等于每条所述第二位线的长度。
16、本公开实施例还提供一种存储器，包括上述方案中的半导体结构。
17、由此可见，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，能够在衬底上依次沉积金属层和牺牲层；而后，在牺牲层上形成第一光刻胶层；最后，沿第一光刻胶层进行刻蚀，去除牺牲层，将金属层刻蚀形成若干个导线结构，每个导线结构包括：两条沿第一方向并行延伸的第一区段以及连接两条第一区段的第二区段。这样，形成了新颖的导线结构，导线结构的第二区段能够将两条并行延伸的第一区段连接；在保证读出放大模块能够正常工作的情况下，位于边缘的存储阵列片将该导线结构作为位线，能够将其存储单元的数量减少至其他存储阵列片的存储单元数量的一半；从而，具有该导线结构的存储器能够减小芯片的面积，提高集成度。同时，本公开以较少的光罩次数形成了该导线结构，简化了形成导线结构的工艺，为形成位线提供了新的工艺选择。
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1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层包括：若干条沿第一方向延伸的第一光刻胶结构和一条沿第二方向延伸的第二光刻胶结构；每条所述第一光刻胶结构和所述第二光刻胶结构相互交叉。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层至少包括：第一牺牲层；所述第一光刻胶层形成于所述第一牺牲层的表面；
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述第一阻挡层进行回刻，形成第一掩膜，包括：
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当所述导线结构的数量为N个时，所述第一光刻胶结构的数量大于等于N+1条。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层还包括：第二牺牲层；所述第一掩膜形成于所述第二牺牲层的表面；
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜的中部区域在所述衬底的投影覆盖所述金属层的投影。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述导线结构的数量为N个时，所述第二光刻
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二牺牲层包括：第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层；所述第一掩膜形成于所述第二阻挡层的表面；所述第四阻挡层覆盖所述金属层；
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述沿第二掩膜进行刻蚀，将所述金属层刻蚀形成若干个所述导线结构，包括：
11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包括：N个存储阵列片；
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：N-1个读出放大模块和多条第二位线；第2至N-1个存储阵列片中，包括：多条第二位线；
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第一位线的两条所述第一区段的长度之和，等于每条所述第二位线的长度。
14.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求12至13任一项所述的半导体结构。
15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器为DRAM。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层包括：若干条沿第一方向延伸的第一光刻胶结构和一条沿第二方向延伸的第二光刻胶结构；每条所述第一光刻胶结构和所述第二光刻胶结构相互交叉。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层至少包括：第一牺牲层；所述第一光刻胶层形成于所述第一牺牲层的表面；
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述第一阻挡层进行回刻，形成第一掩膜，包括：
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当所述导线结构的数量为n个时，所述第一光刻胶结构的数量大于等于n+1条。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层还包括：第二牺牲层；所述第一掩膜形成于所述第二牺牲层的表面；
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜的中部区域在所述衬底的投影覆盖所述金属层的投影。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述导线结构的数量为n个时，所述第二光刻胶层暴露了所述第一掩膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜立维，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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