本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、芯片封装结构及电路模组，半导体结构包括基底、第一柱状导电插塞和第一环状导电插塞，其中，沿基底的厚度方向，第一柱状导电插塞和第一环状导电插塞贯穿基底；第一环状导电插塞套设于第一柱状导电插塞的外部，沿第一柱状导电插塞的周向方向，第一柱状导电插塞与第一环状导电插塞构成第一去耦电容器。通过在基底的第一柱状导电插塞的外部套设第一环状导电插塞，当两者分别连接电源端和接地端后，沿第一柱状导电插塞的周向方向，第一柱状导电插塞与第一环状导电插塞构成一个形成于基底内部的第一去耦电容器，以有效减弱芯片的干扰信号对电源的干扰，达到良好的去耦效果。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法、芯片封装结构及电路模组。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit，ic)的工作频率较高，当ic瞬间启动，或者大量的ic引脚在进行逻辑状态切换时，会在ic的供电导线上造成较大的电流波动，形成瞬变的噪声电压，这种干扰信号沿着导线反向传导到电源后，会造成电源的波动，即ic的波动耦合到了电源。因此，需要设置去耦电容，把ic的供电导线的干扰信号滤除，防止干扰信号返回电源。
2、目前，去耦电容通常设置在与芯片封装结构连接的印刷电路板(printed circuitboard，pcb)上，与ic的距离较远，滤除干扰信号的性能不佳。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、芯片封装结构及电路模组。
3、本公开的第一方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
4、基底；
>5、第一柱状导电插本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一柱状导电插塞和所述第一环状导电插塞设置于隔离区域中，所述第一柱状导电插塞与所述第一环状导电插塞之间设置有介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括绝缘层，所述第二连接部设置于所述绝缘层中。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一柱状导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一柱状导电插塞和所述第一环状导电插塞设置于隔离区域中，所述第一柱状导电插塞与所述第一环状导电插塞之间设置有介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括绝缘层，所述第二连接部设置于所述绝缘层中。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一柱状导电插塞、所述第一环状导电插塞和所述第二环状导电插塞同轴设置；和/或，
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一柱状导电插塞、第一环状导电插塞和所述第二环状导电插塞设置于第一隔离区域中，所述第一连接部设置于所述第一隔离区域中，所述第二柱状导电插塞设置于第二隔离区域中，所述第一隔离区域和所述第二隔离区域相互独立设置；
8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：章恒嘉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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