半导体结构及其形成方法、存储器技术

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：在衬底上形成多个位线结构，相邻的两个位线结构之间围成第一接触窗口；在第一接触窗口内形成导电接触层和第一导电层；在第一导电层的表面形成第一导电材料层，第一导电材料层填满第一接触窗口，且第一导电材料层的顶部与第一导电层远离导电接触层的端部齐平；去除位于位线结构的侧壁上远离导电接触层的一侧的第一导电层；在第一导电材料层及位线结构共同构成的结构的顶部形成第二导电材料层；对第一导电材料层及第二导电材料层进行蚀刻，以在第一导电材料层和其一侧的位线结构之间形成开口。本公开的形成方法可降低短路风险，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。存储节点接触塞是dram的重要部件，其性能的好坏直接影响着电容的存储功能。然而，在制程过程中，受制程工艺的影响，相邻的存储节点接触塞之间易发生短路，产品良率较低。

2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可降低短路风险，提高产品良率。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：

3、提供衬底；

4、在所述衬底上形成多个间隔分布的位线结构，相邻的两个所述位线结构之间围成第一接触窗口；

5、在所述第一接触窗口内本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电接触层包括第一接触层和第二接触层，所述在所述第一接触窗口内形成导电接触层，包括：

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一导电层和所述第一导电材料层，包括：

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述位线结构包括位线导电结构、绝缘覆盖层以及隔离层，形成所述位线结构包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电层随形覆盖于所述绝缘覆盖层、所述隔离层及所述导电接触层共同构成的结构的表面，所述去除位...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电接触层包括第一接触层和第二接触层，所述在所述第一接触窗口内形成导电接触层，包括：

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一导电层和所述第一导电材料层，包括：

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述位线结构包括位线导电结构、绝缘覆盖层以及隔离层，形成所述位线结构包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电层随形覆盖于所述绝缘覆盖层、所述隔离层及所述导电接触层共同构成的结构的表面，所述去除位于所述位线结构的侧壁上远离所述导电接触层的一侧的所述第一导电层，包括：

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述第一导电材料层及所述位线结构共同构成的结构的顶部形成第二导电材料层，包括：

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，对所述第一导电材料层及所述第二导电材料层进行蚀刻，以使相邻的所述第一接触窗口对应的所述第二导电材料层相互断开，并在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹新满，孟俊生，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：