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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：在衬底上形成多个位线结构，相邻的两个位线结构之间围成第一接触窗口；在第一接触窗口内形成导电接触层和第一导电层；在第一导电层的表面形成第一导电材料层，第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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