System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示基板及显示装置制造方法及图纸_技高网

显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:41258184 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-11 09:17
本申请提供一种显示基板及显示装置。其中,显示基板具有阵列排布的多个子像素,包括:衬底基板;驱动控制层;和多个发光器件,发光器件发出第一颜色的光线;其中,多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,第一子像素包括第一数据线和第一阳极,第二子像素包括第二数据线和第二阳极;量子点转换层,设置在子像素的出光方向一侧,用于转换第一颜色的光线;其中,第一子像素的第一阳极在衬底基板的正投影与第一数据线在衬底基板的正投影部分重叠;和/或第二子像素的第二阳极在衬底基板的正投影与第二数据线在衬底基板的正投影部分重叠。增大了子像素的阳极与数据线之间的寄生电容,进而增大该子像素的亮度,从而改善色偏。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,尤其涉及一种显示基板及显示装置


技术介绍

1、寄生电容会造成显示画面的相邻帧缓慢的上升沿和下降沿,不利于高刷新率的需求。寄生电容的存在会导致有效器件电容下降,器件下降沿的响应时间随有效器件电容减小而变大,换言之,下降沿响应时间随寄生电容增大而增大。而寄生电容在有机电致发光器件(organic light-eimitting diode,oled)显示领域包括薄膜晶体管(thin filmtransistor,tft)的金属电极与有源层之间的寄生电容和有机电致发光器件像素电极与金属走线之间的寄生电容等。随着屏幕像素密度(pixels per inch,简称ppi)的增大,金属走线排布更紧密,寄生电容对画质的危害性可能会更大。

2、在oled显示领域,包括利用oled作为激发光源,激发的光经过量子点转化后显示的qd-oled(quantum dot-light emitting diodes)。相关技术中的qd-oled中存在色偏。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请的目的在于提出一种显示基板及显示装置。

2、基于上述目的,本申请提供了一种显示基板,具有阵列排布的多个子像素,包括:

3、衬底基板;

4、驱动控制层,所述驱动控制层包括连接外部电路的数据线和多个开关元件,所述开关元件包括源/漏电极;和

5、多个发光器件,所述发光器件包括阳极、第一颜色发光层和阴极,被配置为发出第一颜色的光线;其中,

6、源/漏电极阳极源/漏电极所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素;所述第一子像素包括第一数据线和第一阳极;所述第二子像素包括第二数据线和第二阳极,所述第三子像素包括第三数据线和第三阳极;

7、量子点转换层,设置在所述子像素的出光方向一侧,用于将所述第一子像素发出的第一颜色的光线转换为第二颜色的光线,并将第二子像素发出的第一颜色的光线转换为第三颜色的光线,并将第三子像素发出的第一颜色的光线透射为第一颜色的光线;

8、其中,第一阳极在所述衬底基板的正投影与所述第一数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠;和/或所述第二阳极在所述衬底基板的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠。

9、本申请实施例还提供了一种显示装置,包括如前任意一项所述的显示基板。

10、从上面所述可以看出,本申请提供的显示基板,通过在子像素中,第一子像素和第二子像素中的至少一个子像素中的阳极(例如第一阳极或第二阳极)与该子像素对应的数据线(例如第一数据线或第二数据线)重叠,相较于子像素的阳极与对应的数据线未重叠的方案,阳极(例如第一阳极或第二阳极)与数据线(例如第一数据线或第二数据线)重叠之后,即可使得该子像素(例如第一子像素或第二子像素)中阳极与对应的数据线之间的寄生电容的电容极板的正对面积增大,从而增大了子像素的阳极与数据线之间的寄生电容,进而增大该子像素的亮度,从而在一定程度上改善色偏。

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【技术保护点】

1.一种显示基板,具有阵列排布的多个子像素,其特征在于,所述显示基板包括:

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件还包括和所述第一颜色发光层层叠设置的第三颜色发光层,所述第一颜色发光层包括层叠设置的至少两层子发光层;所述第一阳极在所述衬底基板的正投影与第一数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一颜色发光层包括层叠设置的至少两层子发光层;所述第一阳极在所述衬底基板的正投影与第一数据线在衬底基板的正投影部分重叠;和/或

4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一阳极在衬底基板的正投影与所述第一数据线在衬底基板的正投影具有第一重叠区域;且所述第二阳极在所述衬底基板的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板的正投影具有第二重叠区域;

5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在平行于衬底基板的方向上,所述第一重叠区域的尺寸小于或等于所述第一数据线在所述衬底基板的正投影的尺寸;所述第二重叠重叠区域的尺寸小于或等于所述第二数据线在所述衬底基板的正投影的尺寸。</p>

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述驱动控制层还包括在所述衬底基板上的有源层和栅极绝缘层;所述第一子像素还包括第一栅极绝缘层和第一有源层;所述第三子像素包括第三栅极绝缘层和第三有源层;所述第一栅极绝缘层和所述第一有源层之间设置有第一阻挡层;和/或

7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一阻挡层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃;所述第三阻挡层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃。

8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第三有源层为P型掺杂半导体层,所述第三阻挡层为第三空穴阻挡层,所述第三空穴阻挡层的价带能级低于所述第三有源层的价带能级;所述第一有源层为P型掺杂半导体层,所述第一阻挡层为第一空穴阻挡层,所述第一空穴阻挡层的价带能级低于所述第一有源层的价带能级。

9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,还包括设置在所述第三有源层和所述第三空穴阻挡层之间的第三中间层,所述第三空穴阻挡层、所述第三中间层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃,所述第三中间层的价带能级低于所述第三空穴阻挡层的价带能级。

10.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,还包括设置在所述第一有源层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间层,所述第一空穴阻挡层、所述第一中间层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃,所述第一中间层的价带能级低于所述第一空穴阻挡层的价带能级。

11.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第三有源层为N型掺杂半导体层,所述第三阻挡层为第三电子阻挡层,所述第三电子阻挡层的导带能级高于所述第三有源层的导带能级;所述第一有源层为N型掺杂半导体层,所述第一阻挡层为第一电子阻挡层,所述第一电子阻挡层的导带能级高于所述第一有源层的导带能级。

12.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,还包括设置在所述第三有源层和所述第三电子阻挡层之间的第三中间层,所述第三电子阻挡层、所述第三中间层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃,所述第三中间层的导带能级高于所述第三电子阻挡层的导带能级。

13.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,还包括设置在所述第一有源层和所述第一电子阻挡层之间的第一中间层,所述第一电子阻挡层、所述第一中间层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃,所述第一中间层的导带能级高于所述第一电子阻挡层的导带能级。

14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13任一项所述的显示基板。

...

【技术特征摘要】

1.一种显示基板,具有阵列排布的多个子像素,其特征在于,所述显示基板包括:

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件还包括和所述第一颜色发光层层叠设置的第三颜色发光层,所述第一颜色发光层包括层叠设置的至少两层子发光层;所述第一阳极在所述衬底基板的正投影与第一数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一颜色发光层包括层叠设置的至少两层子发光层;所述第一阳极在所述衬底基板的正投影与第一数据线在衬底基板的正投影部分重叠;和/或

4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一阳极在衬底基板的正投影与所述第一数据线在衬底基板的正投影具有第一重叠区域;且所述第二阳极在所述衬底基板的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板的正投影具有第二重叠区域;

5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在平行于衬底基板的方向上,所述第一重叠区域的尺寸小于或等于所述第一数据线在所述衬底基板的正投影的尺寸;所述第二重叠重叠区域的尺寸小于或等于所述第二数据线在所述衬底基板的正投影的尺寸。

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述驱动控制层还包括在所述衬底基板上的有源层和栅极绝缘层;所述第一子像素还包括第一栅极绝缘层和第一有源层;所述第三子像素包括第三栅极绝缘层和第三有源层;所述第一栅极绝缘层和所述第一有源层之间设置有第一阻挡层;和/或

7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一阻挡层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃;所述第三阻挡层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000~1500埃。

8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第三有源层为p型掺杂半导体层,所述第三阻挡层为第三空穴阻挡层,所述第三空穴阻挡层的价带能级低于所述第三有源...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴翰郑克宁白静璐胡椹李浪涛王登宇黄耀曾诚王其云刘佳王林涛周俊毅柳菲黄鹏袁长龙
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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