【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种半导体元件的制备方法。特别是有关于一种使用一宽度控制结构以确定一字元线的宽度的方法。
技术介绍
1、随着电子产业的快速发展，集成电路(ics)的发展已经达到高效能以及小型化。在ic材料以及设计的技术进步产生了数代的ics，而其每一代均具有比上一代更小、更复杂的电路。
2、一动态随机存取存储器(dram)元件是一种随机存取存储器，其将数据的每一位元存储在一集成电路内的一单独电容器中。通常，一dram以每个单元的一个电容器以及一个晶体管而排列成一正方形阵列。一种垂直晶体管已经针对4f2 dram单元进行开发，其中f代表微影最小特征宽度或临界尺寸(cd)。然而，近来，随着字元线间距不断缩减，使得dram制造商面临着缩减存储器单元面积的巨大挑战。举例来说，一位元线的通道容易与一字元线接触，借此由于一微影制程的一叠对误差而导致一短路。
3、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，更包含：
3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中该遮罩图案包含一第一遮罩元件与在该第一遮罩元件上的一第二遮罩元件，以及该第一遮罩元件的材料与该第二遮罩元件的材料不同。
4.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，更包含：
5.如权利要求4所述的半导体元件的制备方法，其中该宽度控制结构在该金属化层被图案化之前被移除。
6.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该遮罩图案的一间距大于该字元线的一间距。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，更包含：
3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中该遮罩图案包含一第一遮罩元件与在该第一遮罩元件上的一第二遮罩元件，以及该第一遮罩元件的材料与该第二遮罩元件的材料不同。
4.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，更包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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