【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于封装结构与形成封装结构的方法。
技术介绍
1、一个ddr5的动态随机存取存储器(dram)封装结构可以通过基板/电路板以及接合在基板/电路板上的内存晶片来形成。举例而言，一个面朝下且面向基板以配置被接合的内存晶片能够通过铜柱凸块连接至直接位于基板下方的导电垫。然而，这将花费许多时间在用于连接的铜柱凸块的形成上。
2、因此，如何提供一种技术方案，能够以快速的流程提供由晶片接合至基板上所形成的封装结构，是所属领域技术人员所欲解决的问题之一。
技术实现思路
1、本专利技术的一态样有关于一种封装结构。
2、根据本专利技术的一或多个实施方式，一种封装结构包括第一基板、第二基板、晶片、第一导线以及第二导线。第一基板包括顶面、底面、窗口与第一导电垫。底面相对于顶面。窗口连通顶面与底面。第一导电垫位于底面上。第二基板位于第一基板上。第二基板分离于第一基板且包括第二导电垫。第二导电垫面向第一基板的顶面且从窗口暴露。晶片位于第二基板上。晶片包括第三导电垫。第三导电垫面向第一基板的顶面。第一导线连接第一导电垫至第二导电垫。第二导线连接第二导电垫至第三导电垫。
3、在本专利技术的一或多个实施方式中，封装结构进一步包括粘着层。粘着层位于第一基板与晶片之间。粘着层覆盖第三导电垫与第二导线。
4、在一些实施方式中，第二基板的第二导电垫进一步包括第一部分与第二部分。第一部分连接第一导线且从窗口暴露。第二部分连接第二导线且从被粘着层与第一基板覆盖。p>
5、在本专利技术的一或多个实施方式中，封装结构进一步包括填充于晶片与第一基板之间的空间的粘着层。粘着层包括第一粘着层部分与第二粘着层部分。第一粘着层部分覆盖第二基板的侧壁且延伸至第一基板与第二基板之间。第二粘着层部分填充于晶片于第二基板之间的间隙。第二基板被夹持于第一粘着层部分与第二粘着层部分之间。
6、在本专利技术的一或多个实施方式中，第一导线的部分是延伸至第一基板与第二基板之间。
7、在本专利技术的一或多个实施方式中，第二导电垫通过穿过窗口的第二导线连接至第三导电垫。
8、在本专利技术的一或多个实施方式中，封装结构进一步包括模制化合物。模制化合物覆盖第一导电垫与第一导线。
9、在一些实施方式中，第二导电垫包括第一部分与第二部分。第一部分连接第一导线、从第一基板的窗口暴露且被模制化合物覆盖。第二部分连接第一导线且被第一基板覆盖。
10、在本专利技术的一或多个实施方式中，封装结构进一步包括导电凸块。导电凸块位于第一基板的底面上。
11、本专利技术的一态样有关于一种封装结构。
12、根据本专利技术的一或多个实施方式，一种封装结构包括第一基板、第二基板、晶片、第一导线与第二导线。第一基板具有第一导电垫。第二基板位于第一基板上且具有第二导电垫。晶片位于第一基板上且具有第三导电垫。第二基板位于第一基板与晶片之间。第一导线连接第一导电垫至第二导电垫。第二导线连接第二导电垫至第三导电垫。
13、在本专利技术的一或多个实施方式中，第一基板包括窗口。窗口暴露第二基板的第二导电垫。第二导电垫通过穿过窗口的第二导线连接至第三导电垫。
14、在本专利技术的一或多个实施方式中，封装结构进一步包括填充于第一基板与晶片之间的空间的粘着层。粘着层包括第一粘着层部分与第二粘着层部分。第一粘着层部分覆盖第二基板的侧壁且延伸至第一基板与第二基板之间。第二粘着层部分填充于晶片与第二基板之间的间隙。第二基板被夹持在第一粘着层部分与第二粘着层部分之间。
15、在本专利技术的一或多个实施方式中，第一基板包括第一底面与第一顶面。第一导电垫位于第一底面上。第一顶面相对于第一底面。第二基板包括在第二底面与第二顶面。第二底面分离于第一顶面。第二顶面上配置有第二导电垫且相对于第二底面。晶片的第三导电垫面向第一顶面。
16、在本专利技术的一或多个实施方式中，第一导线的部分延伸至第一基板与第二基板之间。
17、本专利技术的一态样有关于一种形成封装结构的方法。
18、根据本专利技术的一或多个实施方式，一种形成封装结构的方法包括多个流程。提供具有第一导电垫的第一基板、具有第二导电垫的第二基板与具有第三导垫垫的晶片，其中第一基板包括顶面、相对于顶面的底面与连通顶面与底面的窗口。贴附第二基板于晶片上。接合第一导线于第二导电垫与第三导电垫之间。贴附第一基板于第二基板上。第二导电垫的部分从第一基板的窗口暴露。接合第二导线于第一导电垫与第二导电垫之间。
19、在本专利技术的一或多个实施方式中，贴附第二基板至晶片上包括多个流程。贴附粘着层于晶片的表面上。第三导电垫位于晶片的表面。通过粘着层贴附第二基板至晶片的表面上。
20、在本专利技术的一或多个实施方式中，贴附第一基板至第二基板上包括多个流程。在第一导线接合于第二导电垫与第三导电垫之后，贴附覆盖第一导线的粘着层于晶片与第二基板上。通过粘着层贴附第一基板的顶面至第二基板上。
21、在本专利技术的一或多个实施方式中，形成封装结构的方法以下流程。形成覆盖从第一基板的窗口暴露的第二导线的模制化合物。
22、在本专利技术的一或多个实施方式中，形成封装结构的方法以下流程。形成导电凸块于第一基板的底面上。
23、在本专利技术的一或多个实施方式中，形成封装结构的方法以下流程。在第二导线形成之后，翻转第一基板、第二基板与晶片。
24、综上所述，晶片与基板能够通过位于两者之间的额外基板接合在一起，并且使得制造封装结构的时间能够缩短。
25、应当理解，上述一般性描述与以下详细描述都仅是示例，旨在对所要求保护的揭露内容提供进一步解释。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该第二基板的该第二导电垫进一步包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括填充于该晶片与该第一基板之间的空间的粘着层，其中该粘着层包括：
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一导线的一部分是延伸至该第一基板与该第二基板之间。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第二导电垫通过穿过该窗口的该第二导线连接该第三导电垫。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，该第二导电垫包括：
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
10.一种封装结构，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该第一基板包括窗口，该窗口暴露该第二基板的该第二导电垫，并且该第二导电垫通过穿过该窗口的该
12.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，进一步包括填充于该第一基板与该晶片之间的空间的粘着层，其中该粘着层包括：
13.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该第一基板包括第一底面与第一顶面，该第一导电垫位于该第一底面上，该第一顶面相对该第一底面，该第二基板包括第二底面与第二顶面，该第二底面分离于该第一顶面，该第二顶面上配置有该第二导电垫且相对于该第二底面，并且该晶片的该第三导电垫面向该第一顶面。
14.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该第一导线的一部分延伸至该第一基板与该第二基板之间。
15.一种形成封装结构的方法，其特征在于，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，贴附该第二基板至该晶片上包括：
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，贴附该第一基板至该第二基板上包括：
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括：
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括：
20.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该第二基板的该第二导电垫进一步包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括填充于该晶片与该第一基板之间的空间的粘着层，其中该粘着层包括：
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一导线的一部分是延伸至该第一基板与该第二基板之间。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第二导电垫通过穿过该窗口的该第二导线连接该第三导电垫。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，该第二导电垫包括：
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
10.一种封装结构，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该第一基板包括窗口，该窗口暴露该第二基板的该第二导电垫，并且该第二导电垫通过穿过该窗口的该第二导线连接至该第三导电垫。...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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