【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件及其制备方法，特别是关于一种具有周边栅极结构的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件应用于各种电子领域，如个人电脑、移动电话、数码相机及其他电子装置。半导体元件的尺寸不断地缩小，以满足日益增长的计算能力的需求。然而，在缩小尺寸的制程中遭遇各种问题，且问题持续增加。因此，在实现提高品质、产量、性能与可靠性以及降低复杂性方面仍然存在挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括一基底，该基底包括一阵列区域及一周边区域；以及一周边栅极结构，包括：一周边栅极介电层，向内设置于该基底的该周边区域中，并包括一u形截面轮廓；一周边栅极导体，包括一底部及一颈部，该底部设置于该周边栅极介电层上，该颈部设置于该底部上；以及一周边栅极封盖层，设置于该周边栅极介电层与该底部上，并围绕该颈部。该周边栅极封盖层的一顶面与该颈部的一顶面实质上共面。该周边栅极结构包括一顶部设置于该颈部上，且该顶部的一宽度大于该颈部的一宽度。
2、本公开的另一个方面提供一种半导体元件，包括一基底，该基底包括一阵列区域及一周边区域；一周边栅极结构，包括：一周边栅极介电层，向内设置于该基底的该周边区域中，并包括一u形截面轮廓；一周边栅极导体，包括一底部及一颈部，该底部设置于该周边栅
3、本公开的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底，该基底包括一阵列区域及一周边区域；在该基底的该周边区域中形成一周边沟槽，并在该基底的该阵列区域中形成一阵列沟槽；形成一虚设填充层，以完全填充该周边沟槽；在该阵列沟槽中形成一阵列栅极结构，并在该虚设填充层上与该周边沟槽中形成一周边栅极封盖层，其中该周边栅极封盖层包括一第一开口以曝露出该虚设填充层；在该基底上形成一牺牲层，并沿该牺牲层形成一第二开口以曝露出该虚设填充层；选择性地去除该周边沟槽中的该虚设填充层；以及在该周边沟槽中形成一周边栅极介电层；在该周边栅极介电层上、该第一开口中及该第二开口中形成一周边栅极导体；以及将该牺牲层移除。该周边栅极介电层、该周边栅极导体及该周边栅极封盖层配置成一周边栅极结构。
4、由于本公开的半导体元件的设计，周边栅极结构及多个阵列栅极结构可以借由采用虚设填充层而同时形成在基底中。制备包括周边栅极结构及多个阵列栅极结构的半导体元件的复杂性可以借由采用虚设填充层而降低。因此，半导体元件的制备成本可以降低。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一周边杂质区，设置于该基底的该周边区域中并与该周边栅极封盖层相邻。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该周边杂质区的一底面位于一垂直高度，低于该周边栅极封盖层的一底面。
4.一种半导体元件，包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该阵列栅极结构包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该周边栅极介电层与该阵列栅极介电层包含不同的材料。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该周边栅极导体与该阵列栅极导体包含不同的材料。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该周边栅极封盖层与该阵列栅极封盖层包括相同的材料，
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该周边杂质区的一底面位于一垂直高度，低于该周边栅极封盖层的一底面。
10.如权利要求4所述的半导体元件，其中该周边栅极结构的一底面位于一垂直高度，低于该阵列栅极结构的一底面。
11.一种半导体元件的制备方法，包括：
12.如权利
13.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该虚设填充层包括一碳膜。
14.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该阵列栅极结构包括：
15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中该周边栅极介电层与该阵列栅极介电层包含不同的材料。
16.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法，其中该周边栅极导体与该阵列栅极导体包含不同的材料。
17.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法，其中该周边栅极封盖层与该阵列栅极封盖层包含相同的材料。
18.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，更包括在该基底的该阵列区域中形成多个阵列杂质区并与该阵列栅极结构相邻，以及在该基底的该周边区域中形成多个周边杂质区并与该周边栅极结构相邻。
19.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，其中形成该虚设填充层的一制程压力在大约5毫托到大约20毫托之间；其中形成该虚设填充层的一制程温度在大约240℃到大约340℃之间。
20.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法，其中形成该虚设填充层的一碳源包括甲烷、乙烷、乙炔、苯或其组合，以及用于形成该虚设填充层的该碳源的一流速在大约50sccm到大约150sccm之间。
21.如权利要求20所述的半导体元件的制备方法，其中用于携带形成该虚设填充层的该碳源的一载气包括氩气、氖气或氦气，以及用于携带形成该虚设填充层的该碳源的该载气的一流速在大约10sccm到大约150sccm之间。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一周边杂质区，设置于该基底的该周边区域中并与该周边栅极封盖层相邻。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该周边杂质区的一底面位于一垂直高度，低于该周边栅极封盖层的一底面。
4.一种半导体元件，包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该阵列栅极结构包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该周边栅极介电层与该阵列栅极介电层包含不同的材料。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该周边栅极导体与该阵列栅极导体包含不同的材料。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该周边栅极封盖层与该阵列栅极封盖层包括相同的材料，
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该周边杂质区的一底面位于一垂直高度，低于该周边栅极封盖层的一底面。
10.如权利要求4所述的半导体元件，其中该周边栅极结构的一底面位于一垂直高度，低于该阵列栅极结构的一底面。
11.一种半导体元件的制备方法，包括：
12.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，更包含：
13.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该虚设填充层包括一碳膜。
14.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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