本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一中介层、一第一重分布结构以及一第一电子元件。该中介层具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，该中介层包括一第一半导体裸片，该第一半导体裸片包括一第一快闪存储器以及一第一存储器控...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一绝缘层，其向内设置于一基底中，并包括一U形横截面轮廓；一第一辅助层，其共形地设置于该第一绝缘层与该基底上；一导电结构，包括：一底部互连层，其设置于该第一辅助层上，一第一衬垫层，...

本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构包括一数据存储单元，其设置于一第一介电层中；一字元线，其设置于该数据存储单元的上方；一导电垫的阵列，其设置于该字元线的上方；一硬遮罩层，其设置在该导电垫的阵列的上方；及一第二介...

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一中介层以及一第一电子元件。该中介层包括一第一半导体裸片以及一第二半导体裸片。该第一半导体裸片包括一第一快闪存储器以及一第一存储器控制电路。该第二半导体裸片包括一第二快闪存储器以及一第二...

本申请提供一种互连结构及其制备方法。该互连结构包括一第一介电层、设置于该第一介电层上的一第二介电层，以及设置于该第一介电层中的一第一导电层。该互连结构还包括一导电通孔，与该第一导电层电性连接并延伸穿过该第一介电层及该第二介电层。该导电通...

本申请提供一种互连结构。该互连结构包括一第一介电层，设置于该第一介电层上的一第二介电层，以及设置于该第一介电层中的一第一导电层。该互连结构还包括一导电通孔，与该第一导电层电性连接，并延伸穿过该第一介电层及该第二介电层。该导电通孔的最大宽...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该方法包括：形成一字元线在一第一介电层中，该第一介电层位于一基底的上方；形成一通道层穿过该字元线；形成一导电材料在该通道层的上方；形成一蚀刻停止层在该导电材料的上方；图案化该蚀刻停止层以形成一导电垫的...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括多个步骤。提供一基底，其中该基板包括多个柱体，且每一个柱体的ㄧ上表面是一大致平坦表面。在多个柱体上执行一氮化。一第一氧化层形成在与该多个柱体共形的该基底上。一第一介电层形成在多个柱体之间...

本发明提供一种预热控制系统，包含测试装置及处理器。测试装置用以对晶圆批执行晶圆测试，以及对测试装置执行装置预热。处理器耦接于测试装置，包含计时电路及控制电路。计时电路用以计算换批时间，其中换批时间等于前一晶圆批被移出测试装置的时间与晶圆...

本发明提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括提提供一基底，其中该基底包括多个柱体，且该多个柱体中的每个柱体的一顶面是一个实质的平面。在该基底上形成与该多个柱体共形的一第一氧化物层，其中该多个柱体中的每一个在形成该第一氧化物层期间被...

本公开提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构。该半导体结构包括一基底、一残留氮、一第一介电层、多个第一接触点以及多个第二接触点。该基底包括多个柱体，位在该基底的一阵列区中，其中每一个柱体的一上表面是一大致平坦表面。该残留氮部分地设置...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一绝缘层，其向内设置于一基底中，并包括一U形横截面轮廓；一第一辅助层，其共形地设置于该第一绝缘层与该基底上；一第一填充层，其设置于该第一辅助层上；及一覆盖介电层，其设置于该基底上...

本发明提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构。该制备方法包括提供一基底，其中该基底包括多个柱体，且该多个柱体中的每个柱体的一顶面是一个实质的平面。该制备方法包括在该基底上形成与该柱体共形的一第一氧化物层，其中该第一氧化物层的形成包括...

本公开提供一种存储器元件以及该存储器元件的制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，界定有一主动区并包括多个鳍片，该等鳍片从该半导体基底突伸并设置在该主动区内，其中每一个鳍片具有一第一平坦上表面；一第一字元线，延伸到该半导体基底中以及在该...

本公开提供一种存储器元件以及该存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底，界定有一主动区并包括一隔离层，该隔离层围绕该主动区；移除该半导体基底的多个部分以形成多个鳍片，该多个鳍片从该半导体基底突伸；形成一氧化层以围绕每一个鳍片...

本申请提供一种具有介电衬垫的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底；一第一位元线结构，设置于该基底上，并包括一第一导电层、设置于该第一导电层上的一第二导电层，以及设置于该第二导电层上的一第一介电层；一第二位元线结构，设置于该基底...

本申请公开一种半导体元件的制备方法，其包括：提供一底部导电层；形成一导电结构，包含：在该底部导电层上形成一导电凹面层，其中该导电凹面层包含具有V形截面轮廓的一顶面；以及在该导电凹面层上形成一导电填充层；以及在该导电结构上形成一顶部导电层...

提供一种具有介电衬垫的半导体结构的制备方法，包含：提供基底；在基底上设置第一导电层；移除第一导电层的部分；在第一导电层附近设置第二介电层；在第一导电层及第二介电层上设置第二导电层，在第二导电层上设置第一介电层；移除第一、第二介电层、第二...

本申请公开一种半导体元件以及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一导电结构，包括设置于该基底上的一导电凹面层，并包括具有V形截面轮廓的一顶面；以及一导电填充层，设置于该导电凹面层上；以及一顶部导电层，设置于该导电结构上。该导电填充层包括...

本揭示提供一种用于阻抗(ZQ)校准的阻抗调节电路及阻抗调节方法。阻抗调节电路包括参考电阻器、第一上拉阻抗产生器及第二上拉阻抗产生器。参考电阻器耦接在第一感测节点与低参考电压之间。在第一ZQ校准操作中，阻抗调节电路将第一上拉阻抗产生器连接...