【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体元件及其制备方法，尤其涉及一种具有辅助层的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件用于各种电子应用，例如个人计算机、移动电话、数码相机和其他电子设备。半导体元件的尺寸不断缩小，以满足日益增长的计算能力需求。然而，在缩小过程中会出现各种各样的问题，并且这些问题还在不断增加。因此，在实现改进的质量、产量、性能和可靠性以及降低复杂性方面仍然存在挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供一种半导体元件，包括一基底；一第一绝缘层，其向内设置于该基底中，并且包括一u形横截面轮廓；一第一辅助层，其共形地设置于该第一绝缘层与该基底上；一导电结构，包括：一底部互连层，其设置于该第一辅助层上，一第一衬垫层，其共形地设置于该底部互连层和该第一辅助层上，和一顶部互连层，其设置于该第一衬垫层上；及一覆...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一辅助层包括锰。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该底部互连层包含钛、氮化钛、硅、硅锗或其组合。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一衬垫层包括sp2混成碳原子的材料。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该导电结构包括位于该第一衬垫层与该顶部互连层之间的一中间互连层。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该中间互连层包括钨、氮化钨或其组合。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该导电结构还包括一第二衬垫层，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一辅助层包括锰。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该底部互连层包含钛、氮化钛、硅、硅锗或其组合。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一衬垫层包括sp2混成碳原子的材料。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该导电结构包括位于该第一衬垫层与该顶部互连层之间的一中间互连层。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该中间互连层包括钨、氮化钨或其组合。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该导电结构还包括一第二衬垫层，其共形地位于该第一衬垫层与该顶部互连层之间，以及共形地位于该中间互连层与该顶部互连层之间。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第二衬垫层包括sp2混成碳原子的材料。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该顶部互连层包括钼。
10.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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