本公开提供一种存储器测试系统，包括一测试器和一处理器。该测试器被配置以对一封装存储器元件进行一最终测试以获得一测试结果，并读取该封装存储器元件的一读取数据。该处理器耦接至该测试器，被配置以根据该测试结果，在该封装存储器元件未通过该最终测...

本公开提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割线区、多个凸块垫、多个电路探测垫以及多条金属线。该多个晶粒区设置在一半导体晶圆上。该切割线区设置在该多个晶粒区之间。该多个凸块垫设置在每一个晶粒区的一边缘区的一第一上表面上。该多个电路探测...

本揭示提供一种用于对存储器装置的判决反馈均衡(DFE)进行测试的测试方法。存储器装置包括存储库。测试方法包括：提供具有第一数据转换频率的第一测试数据样式及具有与第一数据转换频率不同的第二数据转换频率的第二测试数据样式；利用第一判决反馈均...

本公开提供一种数据选通(DQS)锁存电路及调整内部写入等待时间信号的调整方法。DQS锁存电路包括接收器、计数电路及定时调整电路。接收器接收DQS信号。计数电路对DQS信号的至少一个脉冲进行计数以产生调整值。定时调整电路根据调整值来对内部...

本公开提供一种切割线结构及其半导体元件。该切割线结构包括一晶粒区、一切割线区、一或多个凸块垫、一或多个电路探测垫以及一或多条金属线。该晶粒区设置在一半导体晶圆上。该切割线区围绕该晶粒区。该一或多个凸块垫设置在该晶粒区的一边缘区的一第一上...

本公开提供一种存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括一基底；一第一栅极电极，设置在该基底内；一第二栅极电极，设置在该基底内以及在该第一栅极电极上；以及一栅极介电层，将该基底与该第一栅极电极分开，且将该第二栅极电极与该基底分开。该栅极介...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底，该基底具有一上表面；执行一第一蚀刻操作以形成一第一沟槽在该基底中；沉积一第一介电层在该第一沟槽的各侧壁上；形成一第一栅极电极在该第一沟槽中且被该第一介电层所围绕；沉积一第二介...

提供一种启动电路及带隙电路。启动电路包括起始参考电路及驱动电路。起始参考电路被配置成接收从禁用电压电平斜升到启用电压电平的启用信号，以产生参考信号。驱动电路具有与起始参考电路耦合的输入端及与带隙电路的运算放大器电路耦合的输出端。驱动电路...

本申请提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括：在一基底上形成一第一支撑层；在该第一支撑层上形成一第一材料层，其中该第一材料层被掺入一N型掺杂剂；在该第一材料层上形成一第二材料层；在该第二材料层上形成一第二支撑层；在该第二支撑层上形...

本申请提供一种存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括：一基底、该基底上的一着陆区、该着陆区上的一底部电极，以及该底部电极上的一高k层，其中该底部电极包括设置于该着陆区上的一下部部分、该下部部分上的一中间部分，以及该中间部分上的一上部部...

提供一种断电电路及断电方法。所述断电电路包括保持电路及比较器。保持电路被耦合成接收第一功率信号。保持电路被配置成保持第一功率信号以产生第二功率信号。比较器耦合到保持电路。比较器被配置成对第一功率信号与第二功率信号进行比较，以判断第一功率...

本揭示文件提供一种测量方法，用以测量两个晶圆之间的叠对位移，测量方法包含：提供先前晶圆层、待测晶圆层及测量电路层，其中先前晶圆层及待测晶圆层各自包含第一芯片组；通过测量电路层的多个探针，测量待测晶圆层的第一芯片组；根据至少第一芯片组的测...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一位元线，设置在该基底上；一第一着陆垫，设置在该第一位元线上；一第二着陆垫，设置在该第一着陆垫上方；以及一通道结构，设置在该第一着陆垫与该第二着陆垫之间。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一第一位元线、一第一字元线、一通道结构以及一沟槽电容器，该第一位元线设置在该基底上并沿着一第一方向延伸，该第一字元线设置在该第一位元线上并沿着一第二方向延伸，该第二方向正交于...

一种半导体元件包括基板以及设置于基板主体的覆盖层。基板具有基板主体以及多个侦测区域设置于基板主体的顶表面，其中此些侦测区域的一者包含荧光物质。覆盖层具有多个孔洞，并且各侦测区域对应各孔洞。还提供一种制造半导体元件的方法。经由侦测区域的荧...

本申请涉及具有封盖层的半导体元件，公开了一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一封盖遮罩层，设置于该基底上；一第一栅极绝缘层，沿着该封盖遮罩层设置，向内设置于该基底中，并包括一U形剖视轮廓；一第一功函数层，设置于该第一栅极...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；多个导电层，设置于该基底上；一填充层，设置于该多个导电层之间；一气隙，设置于该填充层中；以及一介电层，设置于该多个导电层及该填充层上。该填充层包括碳氮化硼。

本申请公开一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成多个导电层，并在该多个导电层上形成多个硬遮罩层；在该多个导电层之间及该多个硬遮罩层之间形成一填充层，并在该填充层中形成一气隙；以及在该多个硬遮罩层及该填充层上...

本揭露提供一种存储器元件包括基材、氧化物层以及间隔物。基材包括硅层、氮化物层以及隔离沟槽。氮化物层覆盖硅层。隔离沟槽贯穿氮化物层与硅层的部位。氧化物层填充隔离沟槽且具有表面与氮化物层的表面共平面。氧化物层环绕间隔物。氧化物层覆盖间隔物的...

本公开提供一种电路结构，包括一第一金属线、一第二金属线以及一中间结构。该第二金属线设置在该第一金属线上。该中间结构插置在该第一金属线与该第二金属线之间，且经配置以减少在该第一金属线与该第二金属线之间的一寄生电容。该中间结构包括三种不同材...