本揭示提供一种存储器装置及用于存储器装置的控制方法。所述存储器装置包括存储阵列及控制逻辑电路。存储阵列包括多个存储单元行。控制逻辑电路对存储阵列执行存取。控制逻辑电路对在存储单元行上所执行的存取的次数进行计数，以产生与存储单元行相对应的...

一种可携式存储器测试系统包含第一存储器连接器、信号延迟装置以及处理器。第一存储器连接器用以连接第一待测芯片。信号延迟装置耦接于第一存储器连接器。处理器耦接于信号延迟装置，并用以将第一待测芯片的多个第一芯片引脚的第一引脚定义与第一存储器连...

本申请提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一元件，其中该元件包括一基底与多个字元线及一字元线氮化层，其中该字元线氮化层覆盖该基底的一顶面并延伸至该多个字元线；形成至少一个外沟槽，延伸穿过该字元线氮化层并延伸至该基底；以及在...

本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一元件及至少一个凹槽晶体管。该元件包括一基底及多个字元线。该基底包括一阵列部分及围绕该阵列部分的一周边部分。该多个字元线设置于该阵列部分中。该周边部分没有字元线。该基底的该周边部分界...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括：形成一掺杂区在一半导体基底中；形成一字元线以跨经该掺杂区，使得一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区形成在该掺杂区中以及在该字元线的相对两侧上；形成一介电罩盖层以覆盖该字元线、该第一源...

本公开公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一掩埋导电层，其包括一底部，其设置于该基底中，及一顶部，其设置于该基底中和该底部上；及一凹槽内间隙壁，其设于该基底中，并围绕该底部，且被该顶部覆盖。该顶部的一顶面与该基底的一...

本公开涉及一种半导体元件。该半导体元件包括一基底；多个字元线结构，其设置于该基底中；一掩埋导电层，其包括：一底部，其设置于该基底中及该些字元线结构之间；及一顶部，其设置于该基底中、该底部上以及该些字元线结构之间；及一凹槽内间隙壁，其设置...

本公开提供一种存储器元件，包括：一半导体基底，具有一主动区；以及一字元线，跨经该主动区。存储器元件亦包括一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，设置在该主动区中以及在该字元线的相对两侧上。该存储器元件还包括一位元线接触点，设置在该第一源...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底、一熔丝结构、一第一字元线以及一掺杂区。该熔丝结构包括一熔丝电极，设置在该基底内。该掺杂区围绕该第一字元线。该熔丝结构的该熔丝电极与该第一字元线之间的一水平距离沿着远离...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底、一熔丝结构以及一第一字元线。该熔丝结构包括一熔丝电极，设置在该基底内。该第一字元线电性耦接到该熔丝结构。该第一字元线设置在该基底内，并与该熔丝结构的该熔丝电极间隔开。...

一种半导体装置包含基材、设置于基材中的栅电极、设置于栅电极上方的通道区、设置于栅电极与通道区之间的栅极介电层及与通道区接触的至少两个源极/漏极区。通道区包含至少一硼碳氮单壁纳米管。硼碳氮单壁纳米管来增强其半导体特性及降低其金属特性，从而...

一种沉积装置包括第一腔室、基板支撑件、第二腔室、喷头、第一反应物入口、第二反应物和前驱物入口。第一腔室包括扩散区和反应区，扩散区位于反应区上方。基板支撑件设置于反应区内。第二腔室设置在第一腔室上方。喷头设置于第一腔室与第二腔室之间。第一...

本发明包括一种半导体结构及一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括形成主动区于基板中，其中基板具有阵列区域与邻接阵列区域的周边区域。形成字元线结构于基板的阵列区域中。形成第一保护层覆盖主动区与字元线结构。形成硬遮罩堆叠于第一保...

本发明提供一种非对称接垫结构及测试元件组模块，用于在一晶圆的一切割道上，包括一测试元件装置，分别电性连接一第一接垫和一第二接垫，其中该第二接垫与该测试元件装置之间的一第一间距足以容纳另一非对称接垫结构的一第二接垫，两个相邻的非对称接垫结...

本公开提供一种存储器装置和其形成方法。存储器装置包括基板上的栅极结构、基板中的源极/漏极区域、覆盖基板和栅极结构的介电层，以及邻近于栅极结构的单元接触件。单元接触件包括导电层、导电层的侧壁上的第一阻障层，以及导电层的底表面上的第二阻障层...

本公开提供一种半导体元件，包括第一上选择结构，沿第一方向与主信号垫于同一垂直位面处，与主信号垫分离；第四上选择结构，与主信号垫于同一垂直位面处，并沿第一方向与第一上选择结构分离，主信号垫插置在其间；第一接地层，与主信号垫于同一垂直位面处...

本公开提供一种半导体元件，包括一第一上选择结构以及一第二上选择结构，与一主信号垫处于同一垂直位面并与该主信号垫分离，且分别沿不同方向延伸；一第一接地层，与该主信号垫以及该等上选择结构处于同一垂直位面并分离；一第一下选择结构，位在低于该主...

本发明提供一种测试存储器的系统。系统包含存储器装置及处理器。存储器装置以具有第一值的供应电压操作。处理器操作地耦接存储器装置并用以:产生写入指令以写入第一数据至存储器装置；产生第一读取指令以自存储器装置读取第二数据并比较第一数据及第二数...

本揭示提供一种测试存储器的系统，包含存储器装置及测试装置。测试装置，操作性地耦接存储器装置且根据数据信号，为着存储器装置的写入操作传输多个突波信号及在此些突波信号之后的多个控制信号。测试装置还基于数据信号的写入数据，判断存储器装置的读取...

公开一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底，并形成一漏极在该基底中；形成一顶部介电层在该基底上，并形成一开口沿着该顶部介电层以暴露该漏极；共形地形成一牺牲用层在该开口中；执行一第一冲压蚀刻制程以部分地去该除牺牲用层，从而在该开口的一侧...