【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于具有半导体碳纳米管的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、集成电路(ic)装置(也称为半导体晶片)可以包含数百万个电晶体和其他电路元件，这些电晶体和其他电路元件制造在单个硅晶体基材(晶圆)上。近年来，随着技术节点的进一步缩小，器件尺寸不断缩小。同时通道电阻也变低，有可能形成通道漏电流。这种现象可能使得当代金属氧化物半导体场效应电晶体通道不太可用于提供无限小的存储器单元。因此，有必要寻找与减少的存储器单元几何形状兼容的其他可行机制的替代方法。
技术实现思路
1、本揭露提出一种创新的半导体装置及其制造方法，解决先前技术的问题。
2、于本揭露的一些实施例中，一种半导体装置包含基材、设置于基材中的栅电极、设置于栅电极上方的通道区、设置于栅电极与通道区之间的栅极介电层及与通道区接触的至少两个源极/漏极区。通道区包含至少一硼碳氮单壁纳米管。
3、于本揭露的一些实施例中，一种半导体装置的制造方法包含以下步骤。在基材中形成栅电极。在栅电极上方形成栅极介电层。在栅极介电...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含少于10wt％的硼原子和氮原子。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含3wt％至5wt％的硼原子。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含3wt％至5wt％的氮原子。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含3wt％至5wt％的硼原子和3wt％至5wt％的氮原子。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含sp2混成的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含少于10wt％的硼原子和氮原子。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含3wt％至5wt％的硼原子。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含3wt％至5wt％的氮原子。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含3wt％至5wt％的硼原子和3wt％至5wt％的氮原子。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硼碳氮单壁纳米管包含sp2混成的碳原子、硼原子及氮原子。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极介电层包含二氧化铪。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：方伟权，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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