本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一控制器，经配置以响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新多条字元线之一；一随机数产生器，经配置以产生一第一数；一计数器，经配置以接收该第一数作为该计数器的一初始值，其中该计数器经配...

本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一存储器单元阵列，包括多条字元线；一控制器，经配置以响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新多条字元线的其中至少一条；一随机数产生器，经配置以产生一第一数；一计数器，电性耦接到该随机...

一种存储器装置包括基板、电容器、晶体管、字元线、位元线接触件以及主体接触件。电容器位于基板上方。晶体管位于电容器上方，并且晶体管包括通道区域、位于通道区域上方的栅极，以及位于通道区域的相对侧上的源极及漏极，其中漏极位于电容器上方。字元线...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一互连结构。该制备方法亦包括形成一第一介电层在该互连结构上。该制备方法还包括形成一牺牲图案在该第一介电层上。该制备方法亦包括形成一重分布层在该第一介电层与该牺牲图案上。该制备方法还包...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该基底包括一第一井区，该第一井区具有一第一导电类型。该制备方法还包括形成一第一栅极结构在该基底上。该制备方法还包括形成一第一掺杂区在该基底中。该第一掺杂区具有一第二导电类型，...

本申请公开一种半导体元件的重工方法。该重工方法包括：从一介电质层中的一通孔开口上去除一不合格硬遮罩层；形成一底层填充层以填充该通孔开口；在该底层填充层上形成一顶部硬遮罩层；以及在该顶部硬遮罩层上形成一遮罩层。

本公开提供一种具有叠对标记的半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构包含一基底、一第一发光特征、一第一图案以及一第二图案。该第一发光特征设置在该基底上。该第一图案设置在该第一发光特征上。该第二图案设置在该第一图案上。该第一发光特征经配...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括在一半导体基底上形成一第一介电质层，并形成穿透该第一介电质层的一导电接触。该制备方法还包括在该导电接触上形成一下着陆垫，并形成覆盖该下着陆垫的一第二介电质层。该制备方法还包括蚀刻该第二介...

本公开提供一种具有一气腔的半导体元件。该半导体元件具有一基底、一第一图案化导电层、一第一介电层以及一第二图案化导电层。该第一图案化导电层设置在该基底上。该第一介电层设置在该第一图案化导电层上。该第二图案化导电层设置在该第一介电层上。该半...

本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括设置于一半导体基底上的一第一介电质层，以及穿透该第一介电质层的一导电接触。该半导体元件还包括设置于该导电接触上并与该导电接触直接接触的一T形着陆垫结构。该T形着陆垫结构包括一下着陆垫与设置于该下...

本公开提供一种具有叠对标记的半导体元件结构。该半导体元件结构包含一基底、一第一发光特征、一第一图案以及一第二图案。该第一发光特征设置在该基底上。该第一图案设置在该第一发光特征上。该第二图案设置在该第一图案上。该第一发光特征经配置以发射一...

本申请公开一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；在该基底上形成一介电质层；以一第一遮罩层作为遮罩在该介电质层中形成一通孔开口；形成一不合格硬遮罩层以填充该通孔开口；在该不合格硬遮罩层上形成一第二遮罩层；去除该第二遮罩层与该不合格硬遮...

本公开提供一种半导体元件以及一电路。该半导体元件包括一基底、一第一栅极结构、一第一掺杂区以及一第一电容结构。该基底包括一第一井区，该第一井区具有一第一导电类型。该第一栅极结构设置在该基底上。该第一掺杂区设置在该基底中并具有一第二导电类型...

一种形成存储器装置的方法包含在第一介电层中形成电容，在电容上形成底部电极，在底部电极与第一介电层上形成字元线与第二介电层，其中字元线内嵌于第二介电层，在第二介电层上形成位元线触点，其中位元线触点在第一介电层上的垂直投影与底部电极在第一介...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括形成一下电极结构在一半导体基底上方。该下电极结构的形成包括形成一第一金属层在该半导体基底上方；形成一第二金属层在该第一金属层上方；形成一第三金属层在该第二金属层上方；形成一第四金属层在该...

本公开提供一种半导体元件，包括一下电极结构，设置在一半导体基底上方。该下电极结构由下至上包括一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第四金属层以及一第五金属层。该第一金属层、该第三金属层以及该第五金属层包括一第一金属材料，而该第二金...

本发明提供一种电压调节器以及内存装置。电压调节器包括电压生成器以及偏压电路。偏压电路基于内存装置的省电模式信号动态调整偏压电压。电压生成器基于偏压电压调整电压生成器的偏压电流，其中偏压电流影响目标电压的变化率。电压生成器生成目标电压给在...

一种半导体装置的制造方法包含：在基板上方沉积第一双层结构，其中该第一双层结构包含氧化硅层及位于该氧化硅层上方的氮化硅层；在该第一双层结构上形成第一碳质硬遮罩；在该第一碳质硬遮罩上形成第二双层结构；在该第二双层结构上形成交替的抗反射涂层(...

本申请公开一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底，包括一第一周边区域及一第二周边区域；在该基底上形成一底部硬遮罩层；在该底部硬遮罩层上且在该第一周边区域上方形成一心轴层；在该底部硬遮罩层上共形形成一间隙子材料层，并覆盖该心轴层；在该底...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、多个凹入式栅极以及一周边栅极结构。该基底包括一第一周边区域及一第二周边区域。该多个凹入式栅极分别包括一凹入式栅极介电层，向内设置于该第一周边区域且包括一U形截面轮廓；一凹入式...