本公开提供一种半导体元件，包括一第一晶粒和一第二晶粒。该第一晶粒包括设置于一第一基板之上的一第一介电层、设置于该第一介电层之上的一第二介电层、设置于该第一介电层中的一第一金属层、以及设置于该第二介电层中的一第一导电通孔。该第一导电通孔包...

一种静电放电保护装置被揭示。此静电放电保护装置用以保护内部电路。静电放电保护装置包含静电放电保护阵列以及控制电路。静电放电保护阵列包含多个静电放电保护单元。控制电路耦接于静电放电保护阵列，其中控制电路用以控制多个静电放电保护单元中的每一...

本公开提供一种半导体元件，包括一底部分和一较高部分。该底部分包括一第一堆叠结构、一第一杂质区、和一导电插塞。该较高部分设置于该底部分之上，且包括一第二堆叠结构和一第二杂质区。该第一堆叠结构包括耦合至该第一杂质区的多个栅极组件，且该第二堆...

一种存储器装置的制造方法，包括：在基板上方形成硬式遮罩层，其中硬式遮罩层由氧化物类材料制成，且硬式遮罩层具有第一宽度；穿过硬式遮罩层在基板中形成沟槽；对基板执行第一清洁工艺，其中硬式遮罩层的第一宽度在第一清洁工艺完成之后减小至第二宽度；...

本揭露提供一种测试存储器装置的系统。系统包含多个测试装置、传输装置及数据处理装置。这些测试装置对存储器装置执行彼此不同的多个测试，并且输出这些测试的多个测试结果。传输装置传输存储器装置至这些测试装置，以及包含第一存储装置。第一存储装置存...

一种悬挂式搬运装置的检测方法包括获得车体在轨道的位置信息与对应于位置信息的震动信息。基于位置信息与震动信息产生震动峰值数据。对震动峰值数据执行分析操作，以产生分析结果。判定分析结果是否指示在轨道的临界间隙位置。通过上述的检测方法，可以判...

一种半导体元件包括半导体基材与栅极结构。半导体基材具有源极/漏极区域与位于源极/漏极区域之间的通道区。栅极结构位于半导体基材的通道区上方。栅极结构包括界面层、含锆介电层以及栅极电极。含锆介电层位于界面层上方且为四方晶相。栅极电极位于含锆...

本公开提供一种存储器元件，包括一存储器单元阵列、一控制单元以及一接口电路。该接口电路包括一接收器电路，该接收器电路经配置以放大从一存储器控制器接收的一第一数据选通信号和一第二数据选通信号以产生一第三数据选通信号和一第四数据选通信号。响应...

本发明的实施例提供一种半导体结构，包括设置在基板上方的主动装置层及设置在主动装置层上的电容器结构。电容器结构包括设置于主动装置层上的第一导电层、设置于第一导电层上的绝缘层、设置于绝缘层上的第二导电层、设置于第二导电层上的第三导电层、在俯...

本揭示提供一种芯片外驱动器(OCD)、芯片外驱动器的上拉驱动器及芯片外驱动器的下拉驱动器。上拉驱动器包括主电流源电路及主基本电路。主电流源电路连接于连接焊盘与高参考电压之间。主电流源电路响应于主控制信号而提供主电流值。匹配电阻值与主电流...

一种制造存储器元件的方法包括形成硬遮罩结构于介电结构上方。硬遮罩结构包括第一硬遮罩层、位于第一硬遮罩层上方的第二硬遮罩层以及位于第二硬遮罩层上方的第三硬遮罩层。方法还包括形成间隔物层于硬遮罩结构上方。间隔物层具有图案。方法还包括执行图案...

本公开提供一种存储器元件，包括一存储器单元阵列、一控制单元以及一接口电路。该接口电路包括一接收器电路，该接收器电路经配置以放大从一存储器控制器接收的一第一数据选通信号和一第二数据选通信号以产生一第三数据选通信号和一第四数据选通信号。响应...

一种半导体装置包含基板、通道层、源极/漏极区及栅极构造。通道层位于基板上，其中通道层包含硅锗。源极/漏极区邻接通道层。栅极构造位于通道层上，其中栅极构造包含介电层及功函数金属层。介电层位于通道层上。功函数金属层位于介电层上。半导体装置的...

本揭示内容提供一种形成电容器的方法。方法包括以下操作。以第一温度形成金属氧化物绝缘层在第一导电层上，其中第一温度低于金属氧化物绝缘层的结晶温度。以第二温度形成第二导电层在金属氧化物绝缘层上。以第三温度形成绝缘层在第二导电层上，以结晶化金...

本公开提供一种半导体元件结构，包括设置于一半导体基板之上的一第一介电层；设置于该第一介电层之上的一第二介电层；设置于该第二介电层之上的一第三介电层；设置于该第三介电层中的一导电结构，其穿过该第二介电层，并延伸至该第一介电层中；围绕该导电...

一种形成具有电容器阵列的半导体装置的方法包含在基板的主动区及周边区形成电容器阵列的顶电极板、在主动区中及周边区中的顶电极板上方沉积第一氧化层、移除周边区中的顶电极板、在主动区中及周边区中的第一氧化层上形成氮化膜、在主动区中及周边区中的氮...

本公开提供一种半导体元件结构，包括设置于一半导体基板之上的一第一介电层；设置于该第一介电层之上的一第二介电层；设置于该第二介电层之上的一第三介电层；设置于该第二介电层中的一间隔结构；设置于该第三介电层中的一导电结构，其穿过该第二介电层，...

半导体装置包括位元线、源极、主体、通道、漏极、字元线以及第一主体接触件。源极位于位元线。主体位于源极上。通道位于主体上。漏极位于通道上。字元线围绕通道并且与通道间隔开。第一主体接触件位于主体上，其中第一主体接触件及源极由主体分开。第一主...

一种在半导体装置中形成线状图案的方法包括：在基板上方形成具有第一沟槽的第一光阻层；将第一材料填充于该第一沟槽中；在该第一光阻层上方形成具有第二沟槽的第二光阻层；将第二材料填充于该第二沟槽中；及在将该第二材料填充于该第二沟槽中之后，去除该...

本发明提供一种半导体组件及其制造方法。所述半导体组件包括栅极结构、第一掺杂区以及第二掺杂区。栅极结构设置于衬底上，且包括栅极、栅介电层以及间隔件。栅极设置于衬底上。栅介电层设置于栅极和衬底之间。间隔件设置于栅极和栅介电层的侧壁上。源极区...