一种形成半导体结构的方法包括依序形成半导体层与金属层于在半导体基板上的第一介电层上：形成第二介电层于金属层的一部分上；形成硼磷硅玻璃层于第二介电层上；蚀刻金属层与半导体层；形成第一间隔层于半导体层的侧壁、金属层的侧壁、第二介电层的侧壁及...

本发明提供一种形成半导体结构的方法。此方法包括以下操作。形成第一硬遮罩叠层在介电层上，其中介电层包括阵列区域。蚀刻第一硬遮罩叠层以形成第二硬遮罩叠层与第一沟槽，第一沟槽沿着第一方向在阵列区域的上方且在第二硬遮罩叠层中延伸。形成第二沟槽在...

一种半导体装置，包含基板、设置在基板中的主动区，以及设置在主动区中的栅极结构。栅极结构包含底部导电层、在底部导电层上的上部导电层，以及在上部导电层上的盖层，其中底部导电层的宽度大于上部导电层的宽度，且盖层的宽度大于上部导电层的宽度，其中...

一种半导体结构包括基底、多个第一介电结构、多个第二介电结构、电容器接触件、着陆垫、金属插塞及介电区段。基底包括第一主动区和第二主动区。多个第一介电结构设置在基底中。第一主动区设置在多个第一介电结构之间。多个第二介电结构设置在基底中。第二...

本发明提供一种具有经充电器件模型静电放电防护能力的集成电路，包括电源轨线、连接垫、第一内部电路、第二内部电路以及静电放电保护电路。第一内部电路通过第一信号导线耦接至连接垫。第二内部电路通过第二信号导线耦接至第一内部电路。静电放电保护电路...

一种半导体装置的制造方法，包括:形成虚设通道结构；形成围绕虚设通道结构的栅极电极；形成围绕栅极电极的字元线；移除虚设通道结构以形成开口；在开口中形成栅极介电层；以及在开口中形成通道结构。基于此配置，半导体装置的稳定性和效率可以被提升。

本公开提供一种半导体结构，包括具有一主动区的一基底、多个介电结构、一电容器接触件和一着陆垫。该主动区设置在该等介电结构之间。该电容器接触件设置在该主动区上方并与该主动区接触。该着陆垫设置在该电容器接触件上方。该着陆垫包括一接触插塞、一阻...

一种半导体元件包含着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第二氧化物层、第三氮化物层以及电极层。第一氮化物层设置于着陆垫上方。第一氧化物层设置于第一氮化物层上。第二氮化物层设置于第一氧化物层上。第二氧化物层设置于第二氮化物层上...

一种存储器装置测试系统包含存储器装置、测试机、主机板以及接口。测试机产生对应执行于存储器装置的测试的第一控制信号。主机板耦接测试机，并响应于第一控制信号产生第二控制信号给存储器装置。接口耦接测试机、主机板以及存储器装置，并响应于自测试机...

提供一种多个间隙子的制备方法，包括：提供基础材料；形成多个单元在基础材料上方，每个单元包括下层和在下层上的硬遮罩；形成覆盖层以覆盖该等单元，覆盖层包括多个第一部分、多个第二部分以及多个第三部分；形成上材料以覆盖覆盖层；移除上材料以及覆盖...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基座结构、一位元线结构以及一间隙子。该位元线结构设置在该基座结构上方。该间隙子设置在该位元线结构周围，并包括一第一层、一第二层和一第三层。该第三层设置在该第二层上方。该第三层的一宽...

提供一种电子器件及其操作方法。电子器件包括加电电路、延迟电路及多个电源供应电路。加电电路被配置成根据电源电压来控制加电信号。延迟电路被配置成通过使加电信号延迟不同的延迟时间来提供多个使能信号。所述多个电源供应电路被配置成分别通过所述多个...

本发明提供一种半导体装置。此半导体装置包括封装基板、中介层、氧化物层和顶部导电层。中介层设置于封装基板上。中介层包括多个常规电容器阵列和多个冗余电容器阵列。常规电容阵列位于中介层中，其中各常规电容阵列包含多个常规电容器。各常规电容器包括...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基座结构、一位元线结构以及一间隙子。该位元线结构设置在该基座结构上方。该间隙子设置在该位元线结构周围，并包括一第一层、一第二层和一第三层。该第三层设置在该第二层上方。该第三层的一宽...

本公开提供一种包括多个间隙子的组装结构及其制备方法。该组装结构包括一基础材料和设置在该基础材料上方的多个间隙子。该多个间隙子中的每一个均具有一第一侧表面和与该第一侧表面相对的一第二侧表面。该第二侧表面大致平行于该第一侧表面。该第二侧表面...

本揭露是有关于一种电容器的制造方法。电容器的制造方法包含形成底部电极层、在底部电极层上形成绝缘层、使绝缘层结晶、以及在结晶后的绝缘层上形成顶部电极层。含有氮氧化钛的氧化物扩散阻挡层设置在顶部电极层和绝缘层之间。由于氧化物扩散阻挡层中的氧...

本公开提供一种存储器元件。存储器元件包括一位元线结构以及一下电容器接触，位元线结构设置在一半导体基底上方；一下电容器接触件设置在该半导体基底上方且邻近该位元线结构。该存储器元件还包括一第一氮化物间隔子和一第二氮化物间隔子，设置在该位元线...

提供一种存储器器件。存储器器件包括第一训练电路及第二训练电路。第一训练电路被配置成根据命令地址(CA)训练信号产生具有第一脉冲宽度的第一时钟信号。第二训练电路耦合到第一训练电路且被配置成当确定出CA训练信号未被使能时对第一时钟信号的第一...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包含：一第一源/漏极区域和一第二源/漏极区域，设置于一半导体基板中；一位元线结构，设置于该第一源/漏极区域之上并电性连接至该第一源/漏极区域；一电容器接触，设置于该第二源/漏极区域之上并电性连接至该...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法，所述半导体元件在位元线结构和电容器接触之间具有一气隙。该方法包括在一基板中定义一主动区域，形成设置于该主动区域之上且与其电性连接的一位元线结构和电容器接触，形成夹在该位元线结构和该电容器接触之间的一...