本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤：提供位元线结构与邻近于位元线结构的沟槽，其中第一间隔物设置在位元线结构的侧壁与顶表面上，第二间隔物设置在第一间隔物的侧壁和顶表面。在沟槽内形成光阻层，其中光阻层的高度小于沟槽的深度。...

本揭露提供一种半导体元件。半导体元件包含导电层、着陆垫、电容器以及层间接触件。导电层具有沟槽。着陆垫填充于沟槽中。电容器设置于着陆垫上方。层间接触件连接于着陆垫与电容器之间。层间接触件的顶部的宽度大于电容器的宽度。本揭露的半导体元件及其...

提供存储器系统和存储器裸片。本公开的存储器系统包含堆叠在存储器系统内的多个存储器裸片。每一存储器裸片包含配置成根据输入数字信号产生输出数字信号的编号电路。编号电路包含串联耦合的多个计算电路。当前级计算电路配置成接收来自前一级计算电路的第...

提供存储器系统和存储器裸片。本公开的存储器系统包括多个存储器裸片。多个存储器裸片堆叠于存储器系统内。多个存储器裸片分别包括多个编号电路。多个编号电路串联耦合成串。串中的当前级编号电路包括多个子电路。多个子电路配置成直接使用来自前一级编号...

本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一基板、一第一位元线、一第一字元线、一通道结构、一第一介电层、一第二介电层以及一沟槽电。一第一位元线设置在该基板上且沿着一第一方向延伸；一第一字元线设置在该第一位元线上且沿着与该第一方向垂直的一...

一种半导体装置的制造方法包括在基板上形成位元线结构，沿着位元线结构的侧壁形成间隔物，其中每个间隔物包括气隙(air gap)。方法进一步包括在位元线结构之间和上方形成导电结构，其中导电结构暴露部分位元线结构。方法进一步包括在导电结构和位...

本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一基板、一第一位元线、一第一字元线、一通道结构、一第一介电层、一第二介电层以及一沟槽电。第一位元线设置在该基板上且沿着一第一方向延伸；第一字元线设置在该第一位元线上且沿着与该第一方向垂直的一第二...

本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一接触件、一着陆垫、一位元线和一气隙。该接触件设置在该基底上方。该着陆垫设置在该接触件上方。该着陆垫包括一插塞、一第一间隙子和一第二间隙子。该插塞设置在该接触件上方并与该接触件接触。该第一间隙子设置...

本揭露提供一种三维半导体结构的制造方法。三维半导体结构的制造方法，包含有下列步骤，提供晶圆，而晶圆包含正面以及背面。粘着晶圆的正面于支撑基板，涂布光阻层在晶圆的背面，以及蚀刻晶圆的背面，以在晶圆的背面，形成多个凹槽。切割晶圆以形成多个半...

一种测试设备包含测试装置、负载板以及适配器。负载板设置于测试装置。适配器设置于负载板，并配置以承托待测物，适配器电性连接负载板以及待测物。测试装置配置以通过负载板与适配器向待测物传送测试信号并从待测物接收回馈信号。测试设备能在对待测物进...

本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一接触件、一着陆垫、一位元线和一气隙。该接触件设置在该基底上方。该着陆垫设置在该接触件上方。该着陆垫包括一插塞、一第一间隙子和一第二间隙子。该插塞设置在该接触件上方并与该接触件接触。该第一间隙子设置...

本揭露的实施例提供一种去除极紫外光光刻光罩上的缺陷的方法，包括以下步骤。接收在极紫外光光刻光罩上具有至少一缺陷的极紫外光光刻光罩，其中吸收层及图案层共同地在覆盖层上形成具有覆盖部分及暴露部分的图案，且至少一缺陷在覆盖层上的暴露部分中形一...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底结构、一第一位元线结构和一第二位元线结构。该第一位元线结构埋入该基底结构中。该第二位元线结构埋入该基底结构中。该第一位元线结构的一最大宽度小于该第二位元线结构的一最大宽度。

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底结构、一第一位元线结构和一第二位元线结构。该第一位元线结构埋入该基底结构中。该第二位元线结构埋入该基底结构中。该第一位元线结构的一最大宽度小于该第二位元线结构的一最大宽度。

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第二基底以及一混合接合结构。该第二基底通过该混合接合结构而接合到该第一基底。该混合接合结构包括一介电结构、一导电结构。该介电结构在其中界定出一气隙。

包含半导体晶粒的一种半导体堆叠封装。半导体晶粒包含基板、晶体管以及硅穿孔结构。晶体管配置于基板上。硅穿孔结构垂直于基板，包含第一导电层、第二导电层及介电质层。介电质层位于第一导电层与第二导电层之间。制造半导体堆叠封装的方法包含以下步骤：...

本公开提供一种存储器元件，包括：设置于一半导体基板之上的一位元线结构，和设置于该半导体基板中并延伸于该半导体基板上方的一较低电容器接触。该较低电容器接触包括多晶硅。该存储器元件也包括设置于该较低电容器接触之上的一较高电容器接触。该较高电...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第二基底以及一混合接合结构。该第二基底通过该混合接合结构而接合到该第一基底。该混合接合结构包括一介电结构、一导电结构。该介电结构在其中界定出一气隙。

一种存储器元件，包括：一半导体基板，具有一主动区；以及一字元线结构，延伸跨过该主动区。该字元线结构包括一金属栅极电极层以及围绕该金属栅极电极层的一高介电常数栅极介电层。该存储器元件亦包括一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，设置于该主...

一种存储器元件，包括：一半导体基板，具有一主动区；以及一字元线结构，延伸跨过该主动区。该字元线结构包括一金属栅极电极层以及围绕该金属栅极电极层的一高介电常数栅极介电层。该存储器元件亦包括一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，设置于该主...