一种半导体装置的制造方法包括：在基板上形成多个光阻剂条带，其中开口形成于多个光阻剂条带中的每一者中；在多个光阻剂条带的多个开口中形成多个触点，其中多个触点中每一者的外部轮廓为条带形状；及使用多个光阻剂条带以形成多个位元线。由于多个条带状...

一种存储器装置包括基板、第一字元线层、第二字元线层、栅极介电层及多个源极/漏极区。第一字元线层是在基板中。第二字元线层是在所述基板中与第一字元线层上方。栅极介电层共形地沿着第一字元线层的侧面与底部与第二字元线层的侧面。源极/漏极区是在基...

本公开提供一种封装结构、组装结构及其制备方法。该封装结构包括至少半导体元件、至少一非主动元件以及一封装胶体。至少一非主动元件设置在该至少一半导体元件周围，包括一主要部分以及延伸穿过该主要部分的至少一通孔。该封装胶体封装该至少一半导体元件...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一中介层，具有一第一表面和平行于该第一表面的一第二表面；一导电通孔，在该中介层的该第一表面和该第二表面之间延伸；一绝缘层，将该导电通孔与该中介层间隔开；一第一电子元件，...

本公开提供一种存储器元件，包括一第一高k栅极介电层，设置在一半导体基底中。该第一高k栅极介电层的一上表面高于该半导体基底的一上表面。该存储器元件还包括一第一金属栅极电极层，设置在该第一高k栅极介电层上方。该第一金属栅极电极层的一下部被该...

本公开提供一种存储器元件，包括一第一高k栅极介电层，设置在一半导体基底中。该第一高k栅极介电层的一上表面高于该半导体基底的一上表面。该存储器元件还包括一第一金属栅极电极层，设置在该第一高k栅极介电层上方。该第一金属栅极电极层的一下部被该...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底；一位元线结构，设置在该基底上方；多个电容器接触结构，邻近该位元线结构设置；多个介电衬垫，设置在该等电容器接触结构中，其中每个介电衬垫围绕对应的该电容器接触结构的至少一部分；以...

一种半导体处理系统包含外框、晶圆加工设备、至少一取像模组、托盘、驱动机构与检测模组。晶圆加工设备位于外框内，且具有至少一进料口。取像模组位于晶圆加工设备的一侧，且具有取像范围。托盘用以装载工件。驱动机构可移动地位于外框上，固定地连接托盘...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一中介层，具有一第一表面和平行于该第一表面的一第二表面；一导电通孔，在该中介层的该第一表面和该第二表面之间延伸；一绝缘层，将该导电通孔与该中介层间隔开；一第一电子元件，...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底；一位元线结构，设置在该基底上方；多个电容器接触结构，邻近该位元线结构设置；多个介电衬垫，设置在该等电容器接触结构中，其中每个介电衬垫围绕对应的该电容器接触结构的至少一部分；以...

一种曝光机台，包含有曝光基座以及晶圆高度微调装置。曝光基座用以固定晶圆，而晶圆高度微调装置设置于曝光基座与晶圆之间，用以调整晶圆的局部区域的高度。此外，一种曝光机台控制方法亦在此揭露。

本揭示内容提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、电子保险丝及开关晶体管。电子保险丝在基板上。开关晶体管在基板上及电子保险丝旁边。电子保险丝下方的基板的第一掺杂区域具有第一导电类型，开关晶体管下方的基板的第二掺杂区域具有第二导电类型，以...

本发明提供一种门控式接收器和门控信号生成器。接收器电路包含：门控信号生成器，接收第一输入信号和第二输入信号以及参考电压以输出门控信号，其中自适应参考电压由第一输入信号和第二输入信号以及参考电压生成；以及接收器，接收第一输入信号和第二输入...

一种存储器元件包括电容接触结构、电容器、位元线结构以及间隔物结构。电容接触结构于半导体基材上。电容器于电容接触结构上。电容器自电容接触结构的顶表面延伸至电容接触结构的侧壁。位元线结构于半导体基材上且邻近电容接触结构。间隔物结构位于位元线...

本揭露提供了一种晶圆侦测系统的监测方法。所述方法包含：撷取暴露于光源下的标准晶圆的影像，其中标准晶圆的影像具有标准亮度范围，且光源具有存在最大极限的发光功率；在光源劣化时调整光源的发光功率，以维持标准晶圆的影像的亮度于标准亮度范围内；以...

半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板上形成栅极结构。在栅极结构周围形成第一栅极氮化物侧墙。在相邻的第一栅极氮化物侧墙之间形成栅极氧化物材料。形成第一栅极帽氮化物层。第一栅极帽氮化物层被图案化并用作硬罩幕以蚀刻栅极接触沟槽。在栅...

一种制造半导体元件的方法包括以下步骤。在基板上供给显影剂。由分析子系统的撷取装置撷取基板上的显影剂的分布信息。由分析子系统的处理器基于分布信息产生评估结果。基于评估结果判定是否执行调整操作。借此，显影剂可以更均匀地分布在基板上。如此一来...

本发明的实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括位于基板上方的电容器、位于电容器上方的导电单元、位于导电单元上方的垂直晶体管、环绕垂直晶体管的下部的第一氧化层、环绕垂直晶体管的中部的第一导电层、及环绕垂直晶体管的上部的第二氧化物层。通过...

本发明提供一种电容器结构的制造方法。在基板上方形成模板层。在模板层中形成凹槽。在凹槽的内表面和模板层的顶部表面上形成电容器下电极层。电容器下电极层具有位于凹槽底部的基底、从基底向上延伸至模板层顶面的侧部以及位于模板层上的顶部。基底的厚度...

半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板上形成位元线结构，其中位元线结构包括位元线导电部和位元线介电部。在位元线结构上形成硅碳氧化物(SiCO)层。对SiCO层进行氢等离子体工艺。对SiCO层进行氢氟酸蚀刻工艺。在位元线结构和未被...