南亚科技股份有限公司专利技术

南亚科技股份有限公司共有2444项专利

  • 一种抓握设备包含移动模组、抓握模组以及驱动装置。移动模组包含移动本体、第一充电部以及电源。移动本体配置以沿轨道移动。第一充电部设置于移动本体。电源设置于移动本体,并电性连接第一充电部。抓握模组包含抓握本体、可充电电池以及第二充电部。抓握...
  • 本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板和设置于该基板之上的一位元线结构。该位元线结构包括定义一空气边衬的一绝缘间隔物结构。该半导体元件也包括一密封层,设置于该绝缘间隔物结构之上以覆盖该空气边衬。该密封层包括一含碳材料。
  • 本揭露提供了一种操作自动化搬运系统的方法。所述方法包含:控制搬运装置朝向生产设备的负载口移动;通过搬运装置的接收器接收承载要求的信号;控制搬运装置的影像撷取装置撷取负载口的影像;判断接收器是否接收承载要求的信号;以及判断负载口中是否有任...
  • 提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括:一基板,具有一第一凹陷区;以及一第一位元线结构,位于该第一凹陷区中。该第一位元线结构具有一第一间隔物、一第二间隔物以及一第三间隔物。该第一间隔物、该第二间隔物及该第三间隔物具有...
  • 提供一种封装结构、组装结构及制造方法。此封装结构包括:一模制结构、一第一顶部晶粒及一第二顶部晶粒。该模制结构包括一第一电子元件、一第二电子元件以及封装该第一电子元件及该第二电子元件的一封装剂。该第一顶部晶粒电性连接到该第一电子元件及该第...
  • 一种半导体结构包括第一介电层、保护层、第二介电层、第一缓冲层与第二金属线。第一介电层具有在其顶面中的第一金属线。保护层位于第一介电层上。第二介电层位于保护层上,其中第二介电层与保护层具有穿孔,且第一金属线位于穿孔下方。第一缓冲层位于第二...
  • 半导体元件包含下电极层、阻障层、电介质层以及上电极层。阻障层设置于下电极层上。电介质层设置于阻障层上。上电极层设置于电介质层上。阻障层位于下电极层与电介质层之间。本揭露的半导体元件的形成方法提升了整个半导体元件的电性能。
  • 半导体结构包含在基板上横向隔开的位元线结构,位于位元线结构之间的埋入式接触件,及在埋入式接触件上的着陆垫。埋入式接触件包含第一导电层和在第一导电层上的第二导电层。第二导电层包含主要部分和突出部分,突出部分从主要部分延伸进入至第一导电层中...
  • 本公开提供一种晶圆量测的装置和方法。该方法包括:产生与多个配方相关联的一测量程序;以及通过执行该测量程序以控制至少一测量元件,使其根据该些配方来自动测量多个晶圆。
  • 一种半导体装置,包含基板、设置在基板中的主动区、以及设置在主动区中的栅极结构。栅极结构包含下部导电层、设置在下部导电层上的上部导电层,以及设置在上部导电层上的盖层。上部导电层的宽度小于下部导电层的宽度,上部导电层的底部嵌入下部导电层中,...
  • 一种晶圆操作装置包含壳体、载入口、机械手臂、空气粒子侦测器以及控制系统。载入口设置在壳体的一侧,并配置以接收晶圆容器,晶圆容器配置以容纳半导体晶圆。机械手臂设置在壳体内,并配置以将半导体晶圆移入或移出晶圆容器。空气粒子侦测器设置在壳体内...
  • 本申请案公开一种半导体元件及半导体元件的制造方法。提供硅柱的平坦表面。在一基板之中形成至少一第一沟槽。沉积一导电材料,以部分地填充该第一沟槽。在该第一沟槽中形成一绝缘片且延伸至该导电材料之中。在该第一沟槽中沉积一隔离材料,以覆盖暴露在该...
  • 本揭露提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、字元线结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。基板具有主动区以及围绕主动区的周围区。字元线结构配置于基板的主动区。第一栅极结构设置于基板的周围区中,其中第一栅极结构的底表面朝向基板弯曲,且第一栅...
  • 本揭露提供一种存储器装置的电压监测器。所述电压监测器包括分压器、桥接开关和芯片外驱动器(off‑chip driver,OCD)。分压器接收存储器装置中的内部电压,并对内部电压进行分压以在感测节点上产生感测电压。桥接开关耦接于感测节点与...
  • 本发明的实施例提供一种半导体结构,半导体结构包括多个主动区及多个绝缘区。主动区设置于基板中且被半导体材料层环绕,其中半导体材料层接触主动区的表面为粗糙表面。绝缘区设置于基板中且环绕各主动区,其中各绝缘区包括半导体材料层、位于半导体材料层...
  • 本发明公开一种半导体元件的制造方法。提供硅柱的平坦表面。在一基板之中形成至少一第一沟槽。沉积一导电材料,以部分地填充该第一沟槽。在该第一沟槽中形成一绝缘片且延伸至该导电材料之中。在该第一沟槽中沉积一隔离材料,以覆盖暴露在该绝缘片周围的导...
  • 一种半导体装置,包含具有主动区以及在主动区之间的隔离区的基板、设置在主动区上的位元线结构、设置在位元线结构的侧壁上的间隔物结构、设置在位元线结构之间的埋入式接触件、设置在埋入式接触件上以及在间隔物结构的侧壁上的阻障层、设置在埋入式接触件...
  • 一种晶圆容器管理方法,用以在设施中管理多个晶圆容器,并包含:运用悬挂式搬运系统来运送晶圆容器,其中悬挂式搬运系统包含载具,载具包含抓取装置,其中每个晶圆容器包含上凸缘,抓取装置配置以抓取上凸缘;将每个晶圆容器分类至可安全使用群组以及不可...
  • 本揭露的实施例提供制造半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板,其中基板上具有主动装置层。在主动装置层上形成堆叠膜层。在堆叠膜层上形成光阻平台层。在光阻平台层上共形地沉积阻挡层。在阻挡层上形成光阻剂层。蚀刻光阻剂层直至暴露出阻挡层的多个暴...
  • 本揭示内容提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。在位元线结构之间形成含硅导电层。于臭氧环境下将含硅导电层的第一部分转化成氧化层。在氧化层及位元线结构上形成氮化物层。移除氧化层上的氮化物层的一部分及设置在氮化物层的部分下的氧化层...