本公开提供一种半导体结构，包括一逻辑晶圆；一第一正面重分布层(RDL)，设置在该逻辑晶圆上方；一第一存储器晶粒，设置在该第一正面重分布层上方；一第二存储器晶粒，设置在该第一正面重分布层上方，其中该第一存储器晶粒与第二存储器晶粒呈水平排列...

一种数据验证装置包含处理器。处理器用以进行以下步骤：写入第一高频序列数据至存储器以获得第一电位值。写入第二高频序列数据至存储器以获得第二电位值。比较第一电位值及第二电位值以获得第一最大电位值，以及输出上述第一最大电位值。第一高频序列数据...

一种晶圆夹持工具包含主框、多个抵压装置、移动装置以及手把。抵压装置绕中心设置于主框，抵压装置中每一者配置以至少部分可沿第一方向朝向中心移动以抵压晶圆。移动装置设置于主框，并配置以在晶圆被抵压装置抵压后夹持及移动晶圆。手把设置于主框并沿第...

一种检测设备包含主体、光学装置、分析装置以及机械臂。光学装置配置以获取表面的影像。分析装置信号连接光学装置，并配置以分析所获取的影像以识别表面是否具有凸出物。机械臂连接于光学装置与主体之间，并配置以相对主体移动光学装置。检测设备能更有效...

一种悬挂式搬运车的声控方法包含数个步骤如下。接收环境声。判断环境声是否被比对为用以控制悬挂式搬运车的多种控制命令其中之一。若是，则继续判断此控制命令是否为立即停止运转悬挂式搬运车。当判断出控制命令为立即停止运转悬挂式搬运车，则立即停止运...

一种半导体结构包括基板、栅极介电层与栅极结构。基板具有阵列区与邻接阵列区的周围区，其中基板的周围区具有凹槽。栅极介电层位于凹槽的表面上。栅极结构位于凹槽中且包括第一功函数层与第二功函数层。第一功函数层位于栅极介电层上。第二功函数层位于第...

本公开提供一种用于自动产生堆叠结构中的半导体晶粒的晶片标识符的方法。该方法包括以下步骤：取得一第一半导体晶粒和一第二半导体晶粒，其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒分别包括一第一标识符产生电路和一第二标识符产生电路；通过将该第二半导体...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一底部电极，位于该基板之上且包括一容器状轮廓；以及一顶部支撑层，悬垂于该基板之上并连接到该底部电极。该顶部支撑层的一厚度和该底部电极的一厚度的厚度比介于大约3.0％至大约8....

本公开提供一种半导体结构，包括一逻辑晶圆；一第一正面重分布层(RDL)，设置在该逻辑晶圆上方；一第一存储器晶粒，设置在该第一正面重分布层上方；一第二存储器晶粒，设置在该第一正面重分布层上方，其中该第一存储器晶粒与第二存储器晶粒呈水平排列...

一种晶圆转移装置，包含第一侧墙、第二侧墙、第三侧墙、第一支撑基板以及第二支撑基板。第二侧墙实质上平行于第一侧墙，且在第一方向上彼此有距离的相隔。第三侧墙连接于第一侧墙与第二侧墙之间。第一支撑基板连接第一侧墙的底部且朝向第二侧墙延伸。第一...

一种测试系统，包含信息收集单元以及处理单元。信息收集单元用以从具有第一探针卡的第一测试站点接收多个第一参数。第一参数相关于第一测试站点通过第一探针卡测试晶圆的多个检测结果。处理单元耦接信息收集单元，用以通过人工智能演算法和第一参数，生成...

一种半导体装置包含基板、介电层、金属线层、钝化结构、主动凸块与虚设凸块。介电层在基板上。金属线层在介电层上，其中金属线层包含贯穿介电层的通孔部分。钝化结构在金属线层上，其中钝化结构包含被金属线层的通孔部分围绕的突出部分与在突出部分上的水...

一种形成半导体装置的方法，包括形成逻辑结构、形成动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)结构、将DRAM结构垂直堆叠成至少一个DRAM堆叠、将至少一个DRAM堆叠设置在逻辑结构的第一基板的...

本揭示内容提供一种圆柱形电容器。圆柱形电容器包括第一电极、介电层及第二电极。第一电极具有空心圆柱体的形状，其中第一电极包括多个氧化的表面部分、多个第一含金属层及第一硬层。这些氧化的表面部分在第一电极的空心圆柱体的多个圆柱表面处。第一含金...

半导体测试结构包括基板、输入端、输出端、接点、顶部电极和连接线。基板包括测试区，测试区包括隔离区以及被隔离区间隔开的主动区，其中各主动区具有长轴并且在其上具有第一端和第二端。输入端与输出端设置于测试区的相对两侧，其中第一端面向输入端，第...

一种形成半导体结构的方法包括依序形成多晶硅层与介电层于介电堆叠的顶层上；蚀刻多晶硅层与介电层以形成多个孔洞，其中孔洞位于阵列区中，且介电堆叠的顶层从孔洞露出；形成缓冲层于阵列区中以填满孔洞并覆盖介电层；依序回蚀介电层与多晶硅层的一部分，...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一半导体基底、一熔丝结构以及一电路区。该半导体基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该熔丝结构至少部分设置在该半导体基底内。该电路区电性连接到该熔丝结构。该熔丝...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一半导体基底、一熔丝结构以及一电路区。该半导体基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该熔丝结构至少部分设置在该半导体基底内。该电路区电性连接到该熔丝结构。该熔丝...

本公开提供一种存储器单元及其制备方法，该存储器单元包括一基底、一字元线、一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一第一导电通孔以及一第二导电通孔。该字元线设置在该基底内。该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区设置在该基底内且位在该字元线...

一种半导体结构的形成方法包含：在硬遮罩结构上方形成光阻层；图案化光阻层，其中图案化的光阻层具有粗糙表面；在图案化的光阻层上方共形地沉积间隔物，其中在沉积间隔物期间，图案化的光阻层的粗糙表面被修复；以及利用图案化的光阻层及间隔物作为蚀刻遮...