提供一种半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一中介层以及一第一电子构件。该中介层包括：一第一半导体晶粒以及一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包括一第一快取存储器及一第一存储器控制电路。该第二半导体晶粒包括一第二快取存储器及...

一种形成半导体结构的方法包括在基板上形成硬遮罩层、在基板和硬遮罩层中形成字元线沟槽、在字元线沟槽中形成字元线结构。字元线结构的顶表面和基板共平面。方法进一步包括在字元线沟槽中形成第一介电层。第一介电层的顶表面和硬遮罩层的顶表面共平面。方...

一种制造薄膜的方法，包括以下步骤：通过处理器收集机台的数据；通过处理器执行机器学习演算法，以分析机台的数据与目标厚度，以产生对应机器学习演算法的沉积时间；以及通过处理器根据系数自沉积时间选择最佳沉积时间，其中系数对应机器学习演算法，以通...

本发明公开一种封装结构及其制造方法。此封装结构包括一电子装置以及一散热体结构。该散热体结构设置于该电子装置之上，且包括：一基部部分、多个热通孔以及一导热层。该多个热通孔延伸穿过该基部部分。该导热层设置在该基部部分与该电子装置之间。该多个...

本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一电子元件和一散热结构。该散热结构设置于该电子元件之上，且包括一基部、多个热通孔、和一导热层。该些热通孔延伸穿过该基部。该导热层内埋于该基部中并连接至该些热通孔。该些热通孔通过该导热层热...

本发明公开一种封装结构。此封装结构包括一电子装置以及一散热体结构。该散热体结构设置于该电子装置之上，且包括：一基部部分、多个热通孔以及一导热层。该多个热通孔延伸穿过该基部部分。该导热层设置在该基部部分与该电子装置之间。该多个热通孔通过该...

一种晶圆平坦化系统包含弧度测量装置、激光产生器以及控制单元。弧度测量装置配置以获取晶圆的弧度，晶圆具有上表面以及下表面，上表面背对下表面并定义弧度，下表面上设置有应力调整膜。激光产生器配置以射出激光束。控制单元信号连接弧度测量装置以及激...

根据本发明的一态样，提供一种半导体装置的制造方法。方法包括以下步骤。提供一种半导体结构，其中该半导体结构包括基板、基板中的主动区域、主动区域中的底部导电层、底部导电层上的顶部导电层、基板上的覆盖层及围绕顶部导电层并覆盖在覆盖层上的衬层。...

本发明提供了一种半导体结构，包括基板，设置在基板中的着陆垫，在基板上且覆盖着陆垫的绝缘层，以及穿过绝缘层并连接着陆垫的电容。电容可视为混成电容，包括单面电容和位于单面电容上的双面电容，可提高内部介电层和外部介电层之间的均匀性，并进一步提...

本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一位元线，沿着一第一方向延伸，以及一氧化物膜，沿着一第二方向延伸且设置在该位元线之上。此半导体元件还包括多个接触垫，沿着该氧化物膜排列。

提供一种测试元件组位于晶圆的划道，包括第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫、至少一第三探针焊垫、至少一上排接触区以及至少一下排接触区。当至少一上排接触区电性连接第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫以及至少一第三探针焊垫，至少一下排接触区与第一探...

本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一位元线，沿着一第一方向延伸，以及一氧化物膜，沿着一第二方向延伸且设置在该位元线之上。此半导体元件还包括多个接触垫，沿着该氧化物膜排列。

本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一栅极结构，位于该基板上；一内部间隔层，位于该基板上且覆盖该栅极结构；以及多个反铁电间隔层，位于该内部间隔层的两个侧面上且位于该基板上，其中该栅极结构位于该...

本申请案公开一种存储器元件及一种存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一半导体基板，定义有一主动区且包括多个鳍片，其中该多个鳍片从该半导体基板突出且设置在该主动区内，其中该多个鳍片的每一者具有一第一平坦顶部表面；一第一字元线，延伸到该...

本申请案公开一种存储器元件及一种存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一半导体基板，定义有一主动区且包括多个鳍片，其中该多个鳍片从该半导体基板突出且设置在该主动区内，其中该多个鳍片的每一者具有一第一平坦顶部表面；一第一字元线，延伸到该...

本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一栅极结构，位于该基板上；一内部间隔层，位于该基板上且覆盖该栅极结构；以及多个反铁电间隔层，位于该内部间隔层的两个侧面上且位于该基板上，其中该栅极结构位于该...

本公开提供一种动态随机存取内存(DRAM)装置。DRAM装置包括多个从属DRAM芯片以及主DRAM芯片。所述多个从属DRAM芯片各包括从属参考电压连接垫、从属电压传感器、从属电压泵以及从属熔丝电路。从属电压传感器感测位于从属参考电压连接...

半导体结构包括基板和字元线结构。基板具有沟槽。字线结构位于基板中。字元线结构包括第一间隔物、字元线导电层、阻挡层和第二间隔物。第一间隔物设置在沟槽的侧壁。字元线导电层填充在沟槽的底部。阻挡层设置在第一间隔物和字元线导电层之间。第二间隔物...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括在基板上形成栅极结构，在栅极结构上沉积第一介电材料，执行第一植入工艺以对具有平坦顶表面的基板进行植入，以在基板中形成第一掺杂区，执行第二植入工艺以对具有平坦顶表面的基板进行植入，以在基板中形成第...

一种存储器包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构捍卫于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铝工艺的底部阻挡层、由氧化铝工艺且位于底部阻挡层上方的顶部阻挡层，以及由多个介电层和至少一插...