一种存储器，包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构和位于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铪锆（HZO）所制成的第一介电层、位于第一介电层上方，且由氧化铝所制成的阻挡层，以及位于阻...

本申请案公开一种半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一井区，位于该基板内；一隔离结构，位于该井区中；一熔丝介质，位于该井区之上；一栅极电极，位于该熔丝介质之上；一熔丝掺杂区，位于该熔丝介质之下及该井区内；一源极...

提供一种半导体装置、存储器装置及使用逻辑门为堆叠结构中的半导体晶粒自动产生晶片识别符的方法。方法包含以下步骤：取得第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，其中第一半导体晶粒和第二半导体晶粒分别包含第一识别符产生电路和第二识别符产生电路；在第一半...

提供一种制造半导体元件的方法，包括：提供基板，包括单元区以及周边区；形成晶胞触点、位元线结构以及间隔件于单元区上，其中间隔件分隔晶胞触点以及位元线结构；形成经掺杂多晶硅层于晶胞触点上，从而形成包括经掺杂多晶硅层以及晶胞触点的晶胞触点结构...

一种机器健康指数预测方法适用于机器健康指数预测系统。机器健康指数预测系统包含多个感测器、处理器及多个过滤设备。机器健康指数预测方法包含以下步骤：通过多个感测器各者获得多个过滤设备各者的多个数值；通过处理器处理多个数值，以获得多个过滤参数...

存储器装置的制造方法包括：形成过量填充位元线结构之间的第一沟槽的着陆垫材料层；在着陆垫材料层上方形成遮罩层；对遮罩层执行平坦化工艺，其中遮罩层包括第一凸块；通过对遮罩层执行图案化工艺来形成图案化遮罩层；通过图案化遮罩层蚀刻着陆垫材料层以...

本发明提供了一种方法，包括在基板的阵列区中的介电堆叠和硬遮罩层中形成沟槽，其中阵列区中的硬遮罩层的顶表面低于周边区中的硬遮罩层的顶表面。在硬遮罩层上和沟槽中依序形成底部电极层和保护氧化层。在阵列区中的保护氧化层上形成硬遮罩，以消除阵列区...

本公开提供一种半导体元件。半导体元件包括一半导体基底，具有一主动区；以及一字元线，延伸穿过该主动区。该主动区包括设置在该字元线的相对侧上的一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区。该半导体元件还包括一位元线接触件以及一位元线，设置在该第...

本公开提供一种使用多层遮罩的半导体元件的制备方法。该制备方法包括形成一绝缘层在一基底上；形成一多层遮罩在该绝缘层上；使用该多层遮罩蚀刻该绝缘层；以及形成多个下电极在该绝缘层中。

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括位元线结构、第一介电层、第一栅极结构、第一位元线、第二介电层和第一存储栅极结构。第一介电层设置在位元线结构上方。第一栅极结构埋设在第一介电层中。第一字元线埋设于第一介电层中且环绕第一栅...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一载体；形成具有一开口的一下支撑层在该载体上方；形成一第一电极在该开口内，其中该第一电极具有远离该载体的一上表面；形成邻接该第一电极的该上表面的一上支撑层；以及形成一电容器介电质以及...

一种半导体装置包括基板、第一字线结构、第一介电结构、掺杂区域及第一绝缘帽盖。第一字线结构设置于基板中。第一介电结构呈筒状并设置于基板与第一字线结构之间。掺杂区域设置于基板中，并毗邻第一字线结构。第一绝缘帽盖设置于第一字线结构之上，其中第...

本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。提供基板，在基板中形成沟槽，其中主动区从基板突出并且主动区具有第一宽度。在主动区和沟槽的侧壁上形成薄硅层。通过提供氧气气流在薄硅层上形成第一氧化物层，其中在400℃至600℃的温度范...

本发明提供一种半导体元件，包括基板、单元结构、第一间隔结构、第二间隔结构、位元线结构、着陆垫、以及保护层。单元结构包含第一单元结构以及第二单元结构，并且位元线结构经由第一间隔结构与第一单元结构分隔，以及经由第二间隔结构与第二单元结构，其...

本发明提供一种半导体电容器。此半导体电容器包含有第一导电层、第二导电层以及介电层。介电层位于第一导电层以及第二导电层之间，且第一导电层及/或第二导电层通过等离子体处理，以去除不纯物，并将不纯物置换为氮原子，以改善漏电流以及电阻率。此外，...

形成半导体结构的方法包括提供基板，基板包括密集区和稀疏区，形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构在基板的稀疏区上，第二栅极结构在基板的密集区上，在稀疏区上的第一栅极结构、密集区上的第二栅极结构和基板上共形沉积衬层，在稀疏区上的第一...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。方法包括以下步骤：在基板的主动区中形成第一沟槽，并在基板的隔离区中形成第二沟槽，其中第二沟槽的第二深度深于第一沟槽的第一深度。在第一沟槽与第二沟槽中形成底部导电层。在底部导电层上形成顶部导电层。在第一...

提供了一种晶圆的加工方法。此方法包括：提供晶圆，其中晶圆具有第一区域以及第二区域，且第二区域介于晶圆的边缘以及第一区域之间；沉积第一金属层于晶圆上；沉积盖层于第一金属层上；设置介电层于盖层上，其中介电层覆盖第一金属层的侧壁以及盖层的侧壁...

一种电容器，包括底部电极、位于底部电极上的电容介电以及顶部电极。电容介电包括界面层和位于界面层上的介电层，界面层包含氧化铪且包含第一元素，介电层包含氧化铪且包含不同于第一元素的第二元素。顶部电极位于介电层上。本发明的电容器实现更佳的电容...

本发明的实施例提供半导体结构，半导体结构包括设置在基板上的金属层、设置在金属层上的第一介电层、设置在第一介电层上的第二介电层、设置于金属层上且位于第一介电层的金属层及第二介电层中的多个电容器、及设置于金属层上且位于第一介电层、第二介电层...