一种化学机械研磨垫包含垫体。垫体具有研磨面以及多个内表面，内表面分别连接研磨面并彼此分隔，内表面分别围绕以定义柱状孔，研磨面配置以研磨工件，柱状孔配置以容置研磨液。化学机械研磨垫能改善容置研磨液的能力，从而能改善研磨工件的表现。

本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一字元线及第一接触结构。第一字元线在基板上沿着第一方向延伸，其中第一字元线包括第一尾端部分、第二尾端部分及第一中间部分。第一中间部分在第一尾端部分与第二尾端部分之间，其中第一尾端部分的顶面...

本公开提供一种具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法。存储器元件，包括一电容器，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，位在该电容器上方。该导电插塞具有一第一个凹陷上表面。该存储器元件亦包括一通道层，设置在该导电插塞上方。该...

相变化存储器装置包括基板、第一电极、第二电极、第一碳层、第二碳层及相变化存储层。第一电极及第二电极设置于基板上且彼此间隔开来。第一碳层及第二碳层设置于基板上且彼此间隔开来。第一碳层及第二碳层分别电性连接第一电极及第二电极，且分别为掺杂纳...

本申请提供一种接触结构、一种包含接触结构的半导体装置，以及一种半导体装置的制造方法。该接触结构包含一本体部，以及自该本体部向下延伸的一延伸部，且该延伸部包括一沟槽。将该沟槽凹陷进入该延伸部的一底面，将该沟槽朝该本体部凹陷，并暴露出该本体部。

一种制造晶圆的方法，包括以下步骤：通过处理器增强目标晶圆影像的至少一瑕疵部分；通过处理器在至少一瑕疵部分上执行影像处理操作；通过处理器调整目标晶圆影像的尺寸；通过处理器比对基于目标晶圆影像的目标张量与多个历史晶圆影像的多个历史张量，以产...

本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、字元线及介电层。字元线嵌入基板中，字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层，其中高功函数层的功函数大于低功函数层的功函数。介电层在基板与字元线之间，介电层包括第一部分及第二部分。第一...

形成存储器装置的方法，包含：蚀刻基板以形成自基板延伸的突出部分；在基板上方及突出部分的相对侧上形成第一隔离结构；形成切割突出部分及第一隔离结构的第一、第二及第三字元线沟槽；在第一、第二及第三字元线沟槽中相应地形成牺牲层；移除牺牲层的第一...

半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板上形成容器层间介电层。在容器层间介电层上方形成中间氮化物层。在中间氮化物层上方形成容器氧化物层。将硼、碳、锗和砷中的至少一个离子植入容器氧化物层区域，转化为植入氧化物层。在植入氧化物层上方形...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一熔丝金属、一掺杂结构、一第一介电层、一第二介电层以及二掺杂部。该第一介电层沿着一第一方向延伸且设置在该熔丝金属上方。该第一介电层包括用于容纳该熔丝金属的一第一凹陷结构。该掺杂结构形...

本申请公开一种导电结构及其制备方法。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一电极层、一中间介电层及一第二电极层。该第二支撑层配置于该第一支撑层上，并与该第一支撑层间隔开。该第一电极层包括一第一部分。该第一部分包括一第一区域及一第...

本公开的一些实施方式提供一种形成存储器装置的方法，包括在介电质结构上形成光阻、穿过光阻形成介电质结构中的沟槽以暴露嵌入介电质结构中的栅极电极、通过灰化气体移除光阻，其中灰化气体具有将硅晶圆的表面氧化成厚度薄于的氧化层的氧化能力。方法还包...

存储器装置包括堆叠存储器、多个导通孔以及存储器控制器。堆叠存储器包括多个存储器芯片。每个存储器芯片包括至少一个存储单元阵列、芯片识别装置以及信号路径开关。芯片识别装置耦合到至少一存储单元阵列。信号路径开关耦接至芯片识别装置。导通孔穿透堆...

本发明提供一种内存装置及其内部电压测量方法。主内存芯片与从内存芯片的输出垫相耦接。当主内存芯片的开关电路与从内存芯片的开关电路中的其一导通时，主内存芯片的开关电路与从内存芯片的开关电路中的另一断开。

本申请公开一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一绝缘层，经配置在该基底的一第一表面上；一第二绝缘层，经配置在该第一绝缘层上；以及一电气接点，延伸穿过该第一绝缘层及该第二绝缘层，以与该基底的该第一表面电性连...

本申请提供一种包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法。该封装结构包括一模塑结构、一逻辑元件、一非易失性存储器元件及一易失性存储器元件。该模塑结构包括一存储器控制器元件、一互连元件及封装该存储器控制器元件及该互连元件的一封...

一种半导体结构包括基板以及字元线结构。基板包括源极/漏极区域。字元线结构设置在基板中且邻近源极/漏极区域。字元线结构包括字元线金属层、覆盖层、第一密封层以及第一气隙。覆盖层设置在字元线金属层上。第一密封层设置在字元线金属层与覆盖层之间。...

一种半导体结构包括第一介电层、第二介电层、着陆垫以及接触栓塞。第二介电层设置在第一介电层上。第一介电层具有顶表面接触第二介电层，且顶表面为不平整顶表面。着陆垫埋设于第一介电层中。接触栓塞贯穿第二介电层且第一介电层的一部分直接接触接触栓塞...

本发明提供了一种形成半导体结构的方法，包括提供基板，依序在基板上形成导电层、氮化层、第一碳层、硅层、介电层和遮罩层；图案化介电层和遮罩层以形成核心特征；在核心特征和硅层暴露的部分上共形形成氧化层；涂布第二碳层过填充氧化层；移除经图案化的...

提供一种制造半导体结构的方法。此方法包括以下步骤：提供晶圆基板。在晶圆基板上形成下导电层。在下导电层上形成阻挡层。在阻挡层上形成非晶层，其中非晶层的边缘部分比非晶层的中心部分厚。在非晶层上形成牺牲层，其中牺牲层具有朝向晶圆基板的凹形形状...