南亚科技股份有限公司专利技术

南亚科技股份有限公司共有2444项专利

  • 进出控制方法包含人员离开闸门时,接收身份数据,通过第一影像撷取装置撷取第一影像;将人员加入追踪清单;第一人离开第一出入口时,通过第二影像撷取装置撷取第二影像,记录第一人离开第一出入口的第一时间;确认第一人是否与人员相符;若相符,将第一时...
  • 一种存储器装置的制造方法,包括以下步骤:在基板中形成隔离结构以在基板中定义主动区;在隔离结构与主动区之间形成字元线结构,其中字元线结构包括字元线层及沿着字元线层的侧壁与底部且沿主动区的侧壁延伸的栅极介电层;形成覆盖字元线结构、隔离结构及...
  • 一种判断过宰程度的系统,包含晶圆良率测试器、服务器以及员工装置。服务器电性连接晶圆良率测试器,并且包含测试数据库、训练数据库、过宰判断处理器以及错误通知处理器。过宰判断处理器电性连接训练数据库以及测试数据库,并且配置以根据历史过宰数据,...
  • 本发明提供一种电子装置以及存储器装置,所述电子装置包括多个电路区块以及多个开关组。开关组分别耦接电路区块。开关组在正常模式下提供第一电压至分别对应的电路区块。开关组在待机模式下分别提供多个第二电压至对应的电路区块。其中第一电压的电压值大...
  • 一种测试系统,包含用于承载测试板的板传送装置、与板传送装置连接的板传送室以及与板传送室连接的IC测试室。板传送室包含被配置为检测测试板的平坦度的第一感测器。基于此配置,测试板运输的稳定性和效率可以被提升。
  • 本发明提供一种包括多个印刷粒子的研磨组合物及该些印刷粒子的制备方法。该研磨组合物包括一液态载体;以及分散于该液态载体中的多个印刷粒子。该些印刷粒子是透过增材工艺所制备的。
  • 一种半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。于基板上形成多个容器型电容。在容器型电容之间对牺牲介电材料进行蚀刻以将其去除,从而在容器型电容之间形成间隙,并暴露每一容器型电容的上电极。在这些间隙内对每一容器型电容的上电极进行二硼烷处理。在...
  • 本发明提供一种芯片排序识别电路。第一控制电路依据芯片是否与后级芯片耦接而将电阻电路耦接至第一操作电压或第一接点。第二控制电路依据芯片是否与前级芯片耦接而将电阻电路耦接至第二操作电压或第三接点。识别电路依据电阻电路提供的参考电压判断芯片的...
  • 本揭示提供一种内存装置的电压监测器以及芯片外驱动器(off‑chip driver,OCD)被提供。电压监测器包括第一分压器、桥接开关、OCD以及控制电路。第一分压器接收内存装置中的内部电压,并分压内部电压以在感测节点上产生感测信号。桥...
  • 一种形成钨金属层的方法包括以下步骤。通过在处理腔室中的基板上沉积钨种子层来执行第一沉积工艺。通过将包含硼烷和惰性气体的气体混合物供应到处理腔室中进行预处理工艺,使得硼烷在钨种子层上形成吸附层。通过向处理腔室中供应还原气体来执行还原工艺,...
  • 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一晶片。第一晶片包括第一互连层、设置在第一互连层上的第一导电层、覆盖第一导电层的第一介电层以及嵌入第一介电层中并延伸到第一导电层中的第一接合垫。制造半导体结构的方法包括以下操作。形成...
  • 本发明提供一种先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法,其中以光刻工艺在硅基板上定义主动区域后,施加额外的光掩膜以在STI刻蚀工艺期间形成支撑板图案层于欲进行STI刻蚀的区域,并形成STI沟槽。经STI刻蚀后,在STI沟槽内形...
  • 本发明提供了一种方法,方法包括形成延第一方向延伸且在垂直于第一方向的第二方向彼此分隔开的位元线结构,在位元线结构之间延第一方向形成沟槽,在沟槽中形成导电层,延第二方向穿过导电层和位元线结构的顶部形成隔离结构,移除导电层的顶部以形成接触件...
  • 本发明的实施例提供一种半导体结构,且包括基板、设置在基板上方的位元线结构、设置在位元线结构的侧壁上并沿着位元线结构的侧壁延伸的间隔件结构、及设置在每个主动区中并接触第二间隔件的底部的位元线触点。间隔件结构包括围绕位元线结构的侧壁的第一间...
  • 提供一种制造半导体装置的系统及其相关方法,系统包含处理器,制程反应腔体,载台和加热器。制程反应腔体是用以维持低压环境,系统是用以在设置于低压环境的晶圆上沉积膜层。载台是用以在沉积膜层的期间支撑晶圆。加热器电性耦接至处理器,且加热器是借由...
  • 本申请公开一种具有隔离结构的半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括:一基板、多个穿基板通孔、多个绝缘片段以及多个衬层。该基板包括一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该多个穿基板通孔贯穿该基板。该多个绝缘片段的每一者...
  • 本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一间隙子、一第二间隙子、一第三间隙子、一第四间隙子、一电容器接触件、一隔离元件以及一着陆垫。该第一间隙子及该第二间隙子位在该基底上方且沿着一第一方向延伸。该第三间隙子及该第四间隙子位...
  • 本发明提供一种时钟信号产生电路及其时钟信号产生方法。控制电路在模拟时钟信号产生器电路不提供输出时钟信号时,控制复用器电路选择输出振荡器电路所提供的振荡信号至模拟时钟信号产生器电路,并控制时钟路径电路停止传输输入时钟信号。
  • 本发明提供一种制造半导体结构的方法,此方法包括以下操作。在基板上形成导电结构。形成钨层以覆盖基板与导电结构。在钨层上形成硬遮罩叠层。图案化硬遮罩叠层。通过硬遮罩叠层蚀刻钨层。移除硬遮罩叠层。在钨层上形成硬遮罩叠层包括以下操作。在钨层上形...
  • 本公开提供一种具有自对准接触的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一鳍片;位于该鳍片上的一栅极结构,其中该栅极结构包括一栅极介电层、一栅极底部导电层、一栅极顶部导电层、和一栅极覆盖层;位于该鳍片的两侧上的多个杂质区域;相应地位于所述...