本申请公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含基底，包括源极区和漏极区；字元线结构，包含基底内且包含U形轮廓的字元线介电层、字元线介电层上且在基底中的字元线导电层，和字元线导电层上的字元线盖层；顶部增厚层，包含U形轮廓，在字元线导...

本发明提供一种先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构，在所述方法的工艺期间，在一基底上方提供一图案层，所述图案层包括第一方向上的次浅沟槽隔离图案和垂直于第一方向的第二方向上的次支撑梁图案，接着进行浅沟槽隔离STI刻蚀，所述浅...

半导体结构的制造方法，包含在基板上形成位元线结构；在基板上与位元线结构之间形成介电层；在介电层上形成包含经等离子体处理的富氧抗反射层以及设置在其上的富硅抗反射层的层堆叠；形成包含遮罩特征以及开口的图案化遮罩层在层堆叠上，开口具有小于相邻...

本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、单元电容器、通道层、字元线结构和介电层。单元电容器嵌入基板中。通道层位于单元电容器上，且通道层与单元电容器直接接触。字元线结构包围通道层，其中字元线结构的顶面低于通道层的顶面。字元线结构包括...

本发明提供一种电容器结构。电容器结构包括底部电极、第一介电层及第一顶部电极。底部电极包括底部及侧部，其中侧部从底部的边缘向上延伸，侧部包括第一部分及第二部分在第一部分上，以及第一部分的第一宽度小于第二部分的第二宽度。第一介电层在底部电极...

本公开提供一种半导体元件，其包括设置于该第一介电层之上的一底部电极结构。该底部电极结构包括由下往上配置的一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第四金属层、和一第五金属层。该第一金属层、该第三金属层和该第五金属层包括一第一金属材料，...

本公开提供一种具有偶极部的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一栅极结构，设置在一半导体基底上方；以及一介电层，围绕该栅极结构。该半导体元件亦包括一源极区和一漏极区，设置在该半导体基底中并位在该栅极结构的相对侧上。该半导体元件还包括...

本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板及字元线。字元线嵌入基板中，字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层，其中高功函数层的平均功函数大于低功函数层的平均功函数，低功函数层包括下部及在下部上的上部，以及下部的平均晶粒尺寸小...

半导体结构包括半导体基板、位元线结构以及位元线间隔物。位元线结构设置于半导体基板上。位元线间隔物覆盖位元线结构，其中位元线间隔物包括SiCO层、绝缘氧化物层以及绝缘氮化物层。SiCO层覆盖位元线结构，其中SiCO层的氧浓度等于或大于55...

本申请案公开一种具有空气间隔物的半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一基板；一栅极结构，位于该基板上；多个内部间隔层，位于该栅极结构的侧壁上；多个外部间隔层，位于该多个内部间隔层上；多个气隙，位于该多个内部间隔层与该多个外部间隔层...

一种制造半导体元件的方法包括在第一温度下形成第一金属材料衬于沟槽。沟槽位于半导体基材中。方法还包括在第二温度下形成第二金属材料衬于第一金属材料。第二温度高于第一温度。方法还包括对第一金属材料与第二金属材料执行退火工艺。可以更有效地形成具...

本发明提供一种使用固态二氧化碳粗糙化表面的方法。方法包括以下操作。生成固态二氧化碳，包括使二氧化碳从气瓶经由冷却喷嘴进入真空室中，其中固态二氧化碳在二氧化碳经由冷却喷嘴后形成，以及固态二氧化碳从冷却喷嘴出来的速度为1000m/s至300...

本申请公开一种具有晶体管及电阻的半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一基板；一晶体管及一电阻，设置在该基板中；多个隔离结构，设置在该基板中；一介电层，设置在该基板之上；以及一互连结构，设置在该晶体管及该电阻之上并且电性连接...

本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元线和连接鳍式字元线的共同字元线，其中鳍式字元线部分覆盖...

本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式场效应晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线、位于位元线上且嵌入字元线中的多个半导体鳍片、物理性接触各个半导体鳍片的一个侧壁的主体线，以及包覆主体线...

本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元、连接鳍式字元线的鳍片连接件和位于鳍片连接件上的共同字...

一种半导体装置，包含基板、主动栅极结构、虚设栅极结构，以及储存节点。基板包含主动区以及围绕主动区的隔离结构，其中隔离结构为双层结构，且隔离结构的平均介电常数为小于3.9。主动栅极结构设置于主动区中，虚设栅极结构设置于隔离结构中。储存节点...

一种制造半导体装置的方法，包括：在基板上方设置位元线；在位元线上方和侧方设置第一绝缘层；在第一绝缘层上方和侧方设置定向自组装(DSA)材料层；在位元线、第一绝缘层和定向自组装材料层上方以及在定向自组装材料层侧方设置第二绝缘层；执行相分离...

本申请提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含基底，包含第一周边区和第二周边区；多个凹陷的栅极，分别包含位于第一周边区内且包含U形剖面轮廓的凹陷的栅极介电层，位于凹陷的栅极介电层上且包含谷形剖面轮廓从而形成第一谷的凹陷的栅极底导电层，...

提供一种包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包含一基底、一位元线和一字元线。该基底包含一主动区。该字元线嵌入该基底内且沿着一第一方向延伸。该位元线设置于该基底上且沿着与该第一方向不同的一第二方向延伸。该主动区包含具有一第一...