【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种半导体元件结构及其制备方法。特别是有关于一种包括嵌设在一基底内的一熔丝结构的半导体元件结构。
技术介绍
1、许多集成电路(ics)由在一半导体基底的一单个晶片上的数百万个互连元件所组成，例如晶体管、电阻器、电容器以及二极管。通常希望ic尽可能快的运行，并且消耗尽可能少的功耗。半导体ic通常包括一或多种类型的存储器，例如互补金属氧化物半导体(cmos)存储器、反熔丝存储器以及电子熔丝存储器。
2、电子熔丝通常借由设置在一介电层(例如氧化硅)上的一半导体材料(例如一多晶硅或一金属化层)而整合到半导体ic中。施加一程序化电流来熔断介电层，因而改变电子熔丝的电阻率。这称为程序化“efuse(电子熔丝)”。然而，这种结构需要一相对大的崩溃电压，这可能对半导体元件的效能产生不利影响。此外，传统的efuse结构在基底上占据相对较大的空间，降低了ic的密度。
3、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案
【技术保护点】
1.一种半导体元件结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其中该第一字元线电性连接该第二字元线，且与该第二字元线并联。
4.如权利要求2所述的半导体元件结构，更包括：
5.如权利要求2所述的半导体元件结构，更包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该金属化层具有一第一部分以及一第二部分，其中该第一部分在该第一字元线与该第二字元线之间延伸，且该第二部分大致上与该第一部分垂直。
7.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该金属化层与...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其中该第一字元线电性连接该第二字元线，且与该第二字元线并联。
4.如权利要求2所述的半导体元件结构，更包括：
5.如权利要求2所述的半导体元件结构，更包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该金属化层具有一第一部分以及一第二部分，其中该第一部分在该第一字元线与该第二字元线之间延伸，且该第二部分大致上与该第一部分垂直。
7.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该金属化层与该第二字元线垂直地重叠。
8.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该熔丝电极具有一侧表面，朝向该第一字元线而突伸。
9.如权利要求8所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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