【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/133,056号专利申请案的优先权(即优先权日为“2023年4月11日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。特别地，本公开包括一种半导体存储器结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体产业进入先进技术节点，为追求更高的装置性能和更高的装置密度，它已在微影技术方面达到了先进的精度。为了进一步减小装置尺寸，元件尺寸和不同元件之间的距离必须按比例减小。然而，随着元件尺寸的缩小以及不同元件之间距离的减少，精确控制尺寸和距离的挑战也随之出现。
2、半导体元件缩小的一个问题，就是在整个半导体晶圆上的元件平面度。为了保持不同半导体元件水平之间的品质一致性，需要在单一半导体晶圆和不同的半导体晶圆之间实现高平整度均匀性，以确保元件层达到高平整度均匀性。然而，在制备半导体元件时，通常会受到缩小设备占地面积和在平坦化过程中涉及的各种材料层的限制，因此制备出的半导体元件的平坦度通常会受到限制。因此，需要研究改进的方法和结构，以提供可靠的平坦化方案，确保半导体元件的可靠性和性能。>
3、上文的“本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电垫的阵列形成遵循该硬遮罩层的一图案的一图案。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一抗反射涂层，其设置于该硬遮罩层的上方。
4.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第三介电层，其设置于该第二介电层的上方。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第三介电层与该第二介电层齐平。
6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二介电层填充该导电垫的阵列之间的一空间。
7.如权利要求4所述的半导体结构，还包括多个通道层，其延伸穿过
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电垫的阵列形成遵循该硬遮罩层的一图案的一图案。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一抗反射涂层，其设置于该硬遮罩层的上方。
4.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第三介电层，其设置于该第二介电层的上方。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第三介电层与该第二介电层齐平。
6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二介电层填充该导电垫的阵列之间的一空间。
7.如权利要求4所述的半导体结构，还包括多个通道层，其延伸穿过该字元线。
8.如权利要求7所述的半导体结构，还包括一绝缘膜，其设置于该字元线和所述多个通道层之间。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述多个通道层包括导电氧化物。
10.如权利要求7所述的半导体结构，还包括一导电层，其将该数据存储单元电耦合到所述多个通道层中的一者，其中该导电层包括氧化物。
11.一种半导体结构的制备方法，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其中平坦化包括使用化学机械研磨操作。
13.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚耀雄，吴宇立，叶劭恩，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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