【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置结构及其制备方法。尤其涉及一种具有包含锥形侧壁的衬层的半导体装置结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体装置在许多现代应用上扮演着重要的角色。随着电子科技的进步，半导体装置在提供更多功能和整合更多集成电路的同时，尺寸也变得越来越小。由于半导体装置在尺寸上的微小化，提供不同功能的不同类型及大小的半导体装置被整合并封装成单一模块。再者，许多制造操作都被实施来整合各种类型的半导体装置。
2、然而，半导体装置的制造和整合涉及许多复杂的步骤和操作。半导体装置的整合变得越来越复杂。半导体装置的制造和整合的复杂性增加可能会导致缺陷的产生，例如阶梯覆盖性的不足及/或孔洞。因此，需要不断改进半导体装置的制造过程以解决这些问题。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的“现有技术”的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半...
【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该间隙物结构直接接触该第一介电层的一顶面。
3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该衬层的一底面与该锥形侧壁之间的夹角大于90度。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该衬层直接接触该第二介电层的一顶面和一侧壁。
5.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该导电结构还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置结构，其中该金属填充部的一顶宽大于该金属填充部的一底宽。
7.如权利要求5所述的半导体装置结构，其中该导电结构
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该间隙物结构直接接触该第一介电层的一顶面。
3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该衬层的一底面与该锥形侧壁之间的夹角大于90度。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该衬层直接接触该第二介电层的一顶面和一侧壁。
5.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该导电结构还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置结构，其中该金属填充部的一顶宽大于该金属填充部的一底宽。
7.如权利要求5所述的半导体装置结构，其中该导电结构还包括：
8.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该间隙物结构还包括一l形衬垫。
9.如权利要求8所述的半导体装置结构，其中该间隙物结构还包括由该l形衬垫和该衬层密封的一气隙。
10.一种半导体装置结构，包括：
11.如权利要求10所述的半导体装置结构，其中该衬层直接接...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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