【技术实现步骤摘要】
本揭露有关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
1、在形成半导体元件的传统技术中，通孔通常会在双硅通孔(tsv)工艺中产生。举例来说，以双tsv方案制造的传统方法是蚀刻介电质层以形成通孔。通孔覆盖有阻障层并填充有铜(cu)。在半导体工业中，半导体元件中的铜漂移是涉及电流泄漏或可靠性的一个问题。它可能导致铜被喷溅到tsv衬裹氧化物上。如果没有保护喷溅的铜免受来自钽(ta)阻障层的扩散，则可能会出现有关于由于这种金属污染而导致的tsv衬裹的击穿电压下降的负面影响。这很可能导致后续相关工艺中的电阻变化，从而降低整个半导体元件的性能。因此，本领域亟需一种能够解决上述问题的半导体元件及其制造方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本揭露的一目的在于提出一种可有解决上述问题的半导体元件及其制造方法。
2、为了达到上述目的，依据本揭露的一实施方式，一种制造半导体元件的方法包含：依序地形成第一支撑层、第一铸模层以及第二支撑层于基板的表面上，其中第一铸模层形成为夹于第一支撑层与第二支撑层之间；形...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第二开口分别与所述多个第一开口实质上在垂直于所述基板的所述表面的方向上对齐。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一铸模层的材料与所述第二铸模层的材料相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第二开口的每一者被所述多个沟槽中的三者围绕。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充所述铸模材料于所述多个第二开口中的步骤进一步包含：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第二开口分别与所述多个第一开口实质上在垂直于所述基板的所述表面的方向上对齐。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一铸模层的材料与所述第二铸模层的材料相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第二开口的每一者被所述多个沟槽中的三者围绕。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充所述铸模材料于所述多个第二开口中的步骤进一步包含：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含去除所述导电层的多个部位以暴露所述第三支撑层以及所述铸模材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，去除所述导电层的所述多个部位通过化学机械平坦化工艺执行。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述铸模材料、所述第二铸模层以及所述第一铸模层的步骤通过湿蚀刻工艺执行。
9.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述多个第二开口分别与所述多个第一开口实质上在垂直于所述基板的所述表面的方向上对齐。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一铸模层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文杰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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