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半导体元件及其制造方法技术
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文档序号:42113777
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本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含:依序地形成第一支撑层、第一铸模层以及第二支撑层于基板的表面上;形成数个第一开口于第二支撑层上以暴露第一铸模层;依序地形成第二铸模层以及第三支撑层于具有第一开口的第二支撑层上;形成数个第二开口...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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