本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构的制作方法包括：提供堆叠结构；所述堆叠结构包括由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一介质层、第二支撑层、第二介质层和第三支撑层；形成贯穿所述堆叠结构的多个第一孔，并在所述第一孔中形成第一导电层；在沿垂直于所述层叠的方向与所述第一导电层存在偏移的预设位置处形成贯穿所述第三支撑层的第二孔；通过所述第二孔去除所述第二介质层，形成间隙；至少在所述第二孔的侧壁和所述间隙的侧壁形成保护层；在所述预设位置处形成贯穿所述第二支撑层的第三孔；通过所述第三孔至少去除所述第一介质层。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其制作方法、存储器。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)的一种常见的存储阵列架构是包括一个晶体管和一个作为存储单元的电容(即1t1c的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，源/漏极的一端与位线相连，另一端与电容相连。
2、随着动态随机存取存储器的尺寸不断缩小，电容的尺寸也随之缩小。如何保证电容各方面性能不受影响的前提下，对其制备工艺等都提出了更高的要求。
技术实现思路
1、鉴于此，为解决相关技术问题，本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器。
2、一方面，本公开实施例提供了一种半导体结构的制作方法，所述方法包括：
3、提供堆叠结构；所述堆叠结构包括由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一介质层、第二支撑层、第二介质层和第三支撑层；
4、形成贯穿所述堆叠结构的多个第一孔，并在所述第一孔中形成第一导电层；
>5、在沿垂直于所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述第一介质层的材料相同；
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，第一介质层与所述保护层的材料均包括半导体材料的氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成保护层，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述堆叠结构还包括：位于所述第三支撑层上的牺牲层；
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述堆叠...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述第一介质层的材料相同；
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，第一介质层与所述保护层的材料均包括半导体材料的氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成保护层，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述堆叠结构还包括：位于所述第三支撑层上的牺牲层；
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述堆叠结构中各介质层与所述牺牲层的刻蚀选择比不同；所述堆叠结构中各支撑层与所述牺牲层的刻蚀选择比不同。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述堆叠结构中各介质层的材料包括半导体材料的氧化物，所述堆叠结构中各支撑层的材料包括半导体材料的氮化物，所述牺牲层包括半导体材料。
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛强，夏军，问明亮，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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