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本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构的制作方法包括：提供堆叠结构；所述堆叠结构包括由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一介质层、第二支撑层、第二介质层和第三支撑层；形成贯穿所述堆叠结构的多个第一孔，并在...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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