【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于形成半导体结构的方法。
技术介绍
1、半导体装置在许多电子装置中具有应用，电子装置包括通信装置、汽车电子和其他技术平台。随着例如手机、数码相机和笔记本电脑等便携式装置对改进功能和小型化的需求不断增加，需要提供具有与拾放(pick-and-place)和成型工艺兼容的灵活互连几何结构同时还具有最小的封装尺寸的层叠式封装(package-on-package)半导体装置。层叠式封装堆叠技术正在半导体装置制造中广泛应用，并将在未来发挥越来越重要的作用。由于电路之间互连布线较短，可以加快信号传播速度，并减少噪声和串扰(cross-talk)，因此层叠式封装堆叠技术可以提高装置的电性表现。然而，在层叠式封装堆叠工艺中会出现各种问题，并影响最终的电性、品质和良率。因此，在提高性能、品质、产量和可靠性方面仍存在挑战。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种形成半导体结构的方法。此方法包括以下操作。形成沟槽于基板中。形成介电层以覆盖沟槽的内表面。在350℃至450℃的第一温度下，沉积底部导电...
【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中该底部导电层包括氮化钛。
3.根据权利要求1所述的方法，其中该顶部导电层包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该第二温度为470℃至650℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其中该退火工艺是通过快速热退火来执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在执行该退火工艺期间，退火时间介于5分钟至100分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其中该退火工艺在惰性气体气氛或氮气气氛下执行。
8.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中该底部导电层包括氮化钛。
3.根据权利要求1所述的方法，其中该顶部导电层包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该第二温度为470℃至650℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其中该退火工艺是通过快速热退火来执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在执行该退火工艺期间，退火时间介于5分钟至100分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其中该退火工艺在惰性气体气氛或氮气气氛下执行。
8.根据权利要求1所述的方法，其中该沟槽具有12nm至30nm的宽度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积该底部导电层是通过化学气相沉积或物理气相沉积来执行。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：
11.一种形成半导体结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。