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一种形成半导体结构的方法包括以下操作。形成沟槽于基板中。形成介电层以覆盖沟槽的内表面。在350℃至450℃的第一温度下，沉积底部导电层于介电层上且于沟槽中。在大于或等于470℃的第二温度下，对底部导电层执行退火工艺。移除底部导电层的一部分以...
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