【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/534,948号专利申请案的优先权(即优先权日为“2023年12月11日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有一填充层的半导体元件以及具有该填充层的该半导体元件的制备方法。
技术介绍
1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，增加不同的问题，且如此的问题还在持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一基底；一栅极电极，设置于该基底上；一源极区和一漏极区，设置于该基底中且位于该栅极电极的...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中多个气隙设置在该填充层内，并被该填充层所包围。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件还包括一阻障层，设置于该多个导电插塞和该接触衬垫之间。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该隔离层包括一下介电层和一上介电层，其中该下介电层设置于该基底上并围绕该栅极电极，且该上介电层设置于该下介电层与该栅极电极上方。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中一气隙的一上部位于低于该上介电层的一上表面的一垂直位面处。
6.如权利要求5所述的半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中多个气隙设置在该填充层内，并被该填充层所包围。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件还包括一阻障层，设置于该多个导电插塞和该接触衬垫之间。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该隔离层包括一下介电层和一上介电层，其中该下介电层设置于该基底上并围绕该栅极电极，且该上介电层设置于该下介电层与该栅极电极上方。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中一气隙的一上部位于低于该上介电层的一上表面的一垂直位面处。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中在该栅极电极中的多个金属接触件的一上表面与该下介电层的一上表面呈共面，并且在该源极区和该漏极区中的其他金属接触件的各上表面与该基底的一前表面呈共面。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件还包括一栅极介电质和一栅极间隙子，其中该栅极介电质设置于该基底与该栅极电极之间，该栅极间隙子设置于该栅极电极与该栅极介电质的各侧壁上。
8.如权利要求1所述的半导体元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏国辉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。