【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于半导体装置及其制造方法。具体地，本专利技术有关于使用磁性材料的混合接合工艺。
技术介绍
1、一般而言，混合接合工艺包括接合金属与介电质膜。并且，混合接合工艺通常包括热工艺与压力工艺，而这可能改变热预算(thermal budget)，也可能导致介电质膜破裂。
2、因此，本专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，其中混合接合工艺不包括热工艺和/或压力工艺。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一态样，提供一种半导体装置。半导体装置包括第一半导体晶圆与第二半导体晶圆。第一半导体晶圆包括第一基板、设置在第一基板的顶表面的第一金属化层、设置在第一金属化层上的第一介电质层、嵌入在第一介电质层的第一磁性结构、与嵌入在第一介电质层的第一金属垫。第一金属垫连接第一金属化层中的第一互连结构。第二半导体晶圆设置在第一半导体晶圆上。第二半导体晶圆包括第二基板、设置在第二基板顶表面的第二金属化层、设置在第二金属化层上的第二介电质层、嵌入在第二介电质层的第二磁性结构、与嵌入在第二介电质层的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一磁性结构与该第二磁性结构包括选自于由铁氧化物、铁钴合金、铁镍合金或其组合所组成的群组的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一磁性结构与该第二磁性结构具有相反的极性。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二半导体晶圆包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一金属垫的顶表面与该第一磁性...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一磁性结构与该第二磁性结构包括选自于由铁氧化物、铁钴合金、铁镍合金或其组合所组成的群组的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一磁性结构与该第二磁性结构具有相反的极性。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二半导体晶圆包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一金属垫的顶表面与该第一磁性结构的顶表面共平面，并且该第二金属垫的顶表面与该第二磁性结构的顶表面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一金属垫与该第二金属垫互相对准并直接接触。
8.一种半导体装置的制造...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣富，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。