【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件的形成方法、半导体器件及图像传感器。
技术介绍
1、电容是常用的无源器件之一，作为集成电路中的重要组成部分，被广泛应用于各种芯片中。金属-绝缘层-金属（metal insulator metal，mim）电容是集成电路芯片中常用的电容结构之一，通常包括下极板、上极板、位于上级板和下极板之间的介质层。在形成工艺中，一般先形成mim结构，再通过刻蚀工艺形成电容，由于mim结构比较复杂和特殊，广泛应用的氮化钛（tin）极板和氧化铝（al2o3）介质层都比较薄，刻蚀完成后会有少许al残留，导致在刻蚀后底部会出现表面粗糙的问题。
2、另一方面，目前射频、混合或模拟集成电路经常用到大电容值的mim电容，通常通过减小mim电容介质厚度来得到。然而，过薄的电容介质厚度会使mim电容产生比较大的漏电问题，可靠性也会存在风险。例如，1ff/μt2的mim电容结构中sin厚度的为660a，电容结构的击穿电压（bv）为30v，若mim电容结构中sin厚度减薄至330a，可以将电容值提高至2ff/μt2，但...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述于衬底上形成电容下极板层包括：
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述于衬底上形成电容下极板层包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成介电层和电容上极板层包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述去除所述第二介质层及部分所述电容上极板层、介电层、电容下极板层包括：
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述于衬底上形成电容下极板层包括：
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述于衬底上形成电容下极板层包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成介电层和电容上极板层包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述去除所述第二介质层及部分所述电容上极板层、介电层、电容下极板层包括：
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成与所述电容上极板层电性相连的第一导电结构、与所述电容下极板层电性相连的第二导电结构包括：
7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底下方形成有金属互连结构，在形成所述第一导电结构和所述第二导电结构的同时，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡书怀，陈林，张浩然，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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