本发明提供一种半导体结构、形成方法及装置，通过设置腔室、基座及气体管路，工艺气体经所述气体管路引入至所述腔室，所述基座内设于所述腔室，覆盖有第一光刻胶图形层的衬底放置于所述基座上；耦连的上电极装置及第一射频发生装置，所述上电极装置间隔所...

本发明公开了一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法及光掩模。该方法包括：基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光...

本发明提供一种研磨垫修整装置，其特征在于，所述研磨垫修整装置包括疏水层，以防止研磨液及研磨碎屑在所述研磨垫修正装置表面的黏附和接触面积，同时防止高酸碱性的研磨液对研磨垫修整装置中磨粒固定层的侵蚀；所述研磨垫修整装置还包括清洗部件，用于清...

本发明公开了一种研磨液防溅装置、化学机械研磨系统及化学机械抛光方法。该装置包括研磨台和环绕设置于所述研磨台外周的防溅挡板；所述研磨台的边缘设置至少一个清洗部件；所述至少一个清洗部件适于随所述研磨台转动从而清洁所述防溅挡板表面的研磨液。本...

本发明提供一种平坦化方法，采用包括仅通过一次化学机械研磨工艺，对衬底表面进行材料无差异化的平坦处理，所述化学机械研磨工艺包括至少一次研磨步骤，所述研磨步骤包括研磨选择比为0.5~2的精磨步骤以暴露基底，通过单台化学机械研磨设备就可完成隔...

本发明公开了一种用于背照式图像传感器的光罩的套刻精度的监测方法及其监测装置，该方法包括：测量确定出对于晶圆正面的参考光罩的参考注计差；测量确定出对于晶圆背面的某一层光罩的第一注计差；基于所述第一注计差和所述参考注计差，确定出所述对于晶圆...

本发明公开了一种应用于图像传感器的鳍式场效应晶体管的实现方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底形成第一沟槽；其中，两个相邻的第一沟槽之间的部分衬底形成所述鳍式场效应晶体管的鳍片结构；填充保护层至所述第一沟槽，避免所述鳍片结构表面在栅极形成前...

一种沉积设备

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：键合的器件晶圆以及承载晶圆，所述器件晶圆的正面与所述承载晶圆的正面键合；其中，所述器件晶圆的正面具有第一应力层，所述第一应力层包括单层第一子应力层，或包含多层第一子应力层的堆叠层；所述承载...

一种沉积设备

本发明提供一种腔体、干燥装置、化学机械研磨装置以及半导体设备，腔体的顶部内壁设置有防滴液层，所述防滴液层具有形成内壁表面的下表面以及与所述下表面相对的上表面；其中，所述上表面为亲水表面，所述下表面为疏水表面。通过在腔体顶部内壁设置防滴液...

本发明提供一种腔体，所述腔体的顶部内壁设置有定向传液层，所述定向传液层具有沿液体传输方向定向排布的表面微结构，所述表面微结构为微凹槽阵列或微凸起阵列中的至少一种。本发明通过于腔体顶部内壁设置定向传液层，使顶部液滴定向传输至边缘区域，避免...

本发明公开了一种挡板、防溅装置、化学机械研磨机台及研磨废液防溅方法。所述防溅装置包括：挡板、清洗立柱、驱动组件；所述挡板环绕设置于研磨台的外周；所述挡板在驱动组件的驱动下可进行独立升降；所述清洗立柱设置于挡板外侧，所述清洗立柱的清洗喷管...

本发明公开一种晶圆清洗装置、化学机械研磨机台及清洗方法。该晶圆清洗装置包括：滚刷，其包括本体和设置于所述本体表面的第一凸起和第二凸起；滚刷驱动装置；所述滚刷驱动装置用于驱动所述滚刷绕着所述滚刷的中心轴线旋转。其中，所述第一凸起为圆柱形凸...

一种低介电常数材料层的去除方法，所述方法包括：提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆的表面具有低介电常数材料层；采用氧等离子体对所述待清洗晶圆进行干法刻蚀，以降低所述低介电常数材料层中的甲基含量；采用第一浓度的刻蚀溶液，对所述待清洗晶圆进行第一...

本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，该方法包括：通过刻蚀和外延工艺，在衬底的对准区形成多个第一沟槽；在所述多个第一沟槽的下部表面形成至少一层介质层；通过外延工艺，在所述多个第一沟槽的上部形成第一外延层，使所述多个第一沟槽开口封闭，并...

本发明提供一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构，通过刻蚀所述晶圆的半导体衬底形成沟槽，再通过外延工艺于所述沟槽表面形成至少一层外延层，使所述沟槽开口闭合，形成中空间隙结构，从而在半导体衬底中预埋有中空间隙结构，所述中空间隙结构位于后续形...

本发明提供一种半导体器件中对准标记形成方法，包括：刻蚀半导体衬底形成多个第一沟槽；通过侧向刻蚀，使若干所述第一沟槽的底部相互连通，形成所述第二沟槽，所述第二沟槽宽于所述第一沟槽；通过至少一次外延工艺形成第一外延层，使所述第一沟槽顶部封闭...

本发明提供一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构，通过形成于器件层或介质层中的沟槽结构作为围绕半导体芯片设置的断裂保护结构，所述沟槽结构至少部分地填充有介质材料或金属材料，当沿着切割道切割器件晶圆时，所述沟槽结构阻止器件晶圆的裂纹延伸进入...

本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法及其图像传感器，所述形成方法包括：提供半导体基底，于半导体基底正表面形成第一外延层；于第一外延层表面形成第二外延层；于第二外延层内形成光电二极管以及MOS管；去除所述半导体基底，暴露出第一外延层。...