【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法及光掩模。
技术介绍
1、图像传感器是利用像素阵列中光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号，再经过外围电路的处理、存储等，从而记录图像信息。
2、在实现图像传感器的具体的工艺图案（pattern）时，光掩模（reticle）的质量尤为重要。光掩模又称掩模版、掩模，是光刻工艺不可缺少的部件，光掩模上承载着设计图形，光线透过它时，会将设计图形投射在光刻胶上，进而显影，因此光掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。
3、现有的投影式光刻机中，一般的，光掩模并不与晶圆直接接触，而是通过汇聚透镜（condenser lens）与投影透镜（projection lens）将光掩模上的图案缩小四倍投射到晶圆上，因此又称为倍缩式光掩模。
4、光掩模（mask）结构组成：主要由基板、吸光层、薄膜（pellicle）等主要部件组成。其中基板的主要成分是石英，其对于≦365nm波长的紫外光有着极高的透过性，且其热膨...
【技术保护点】
1.一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：通过预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，使得实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度...
【技术特征摘要】
1.一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：通过预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，使得实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：预先对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差或纵向注计差中的至少一个参数进行修正，以降低实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差进行修正，以降低实际光刻曝光过程中光掩模中所述修正后的光掩模的沿横向的套刻误差受温度的影响。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓龙，姚旭日，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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