【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法及光掩模。
技术介绍
1、图像传感器是利用像素阵列中光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号，再经过外围电路的处理、存储等，从而记录图像信息。
2、在实现图像传感器的具体的工艺图案（pattern）时，光掩模（reticle）的质量尤为重要。光掩模又称掩模版、掩模，是光刻工艺不可缺少的部件，光掩模上承载着设计图形，光线透过它时，会将设计图形投射在光刻胶上，进而显影，因此光掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。
3、现有的投影式光刻机中，一般的，光掩模并不与晶圆直接接触，而是通过汇聚透镜（condenser lens）与投影透镜（projection lens）将光掩模上的图案缩小四倍投射到晶圆上，因此又称为倍缩式光掩模。
4、光掩模（mask）结构组成：主要由基板、吸光层、薄膜（pellicle）等主要部件组成。其中基板的主要成分是石英，其对于≦365nm波长的紫外光有着极高的透过性，且其热膨胀系数仅为0.5ppm/℃，是良好的基板材料。吸光层可以金属铬(cr)。
5、传统的前照式(fsi, front side illumination)图像传感器受到金属层的影响，其对光子的敏感性大大降低，在追求高感光特性，低暗电流的大背景下，背照式(bsi, backside illumination)图像传感器应运而生，将放大器等晶体管以及外围电路置于前部，这样光线可以从背部直接照到
6、在集成电路芯片制造过程中，晶圆上当前层（光刻胶图形）与参考层（衬底图形）之间的相对位置误差，称为套刻误差(overlay)，同时也是监测光刻工艺好坏的指标之一，而光掩模的套刻误差直接影响了晶圆上图形套刻误差的结果，因此光掩模的套刻误差的管控具有十分重要的意义。一般地，如果需要通过光罩来优化晶圆上的套刻精度，主要通过管控注记差(registration)以及前后层光罩的套刻偏差来优化光罩的位置精度。其中，注记差为实际曝写出来的图案与设计位置的差异。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法，以降低实际光刻曝光过程中光掩模的套刻误差受温度的影响。该方法包括：基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
2、在一些实施例中，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：通过预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，使得实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
3、在一些实施例中，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：预先对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差或纵向注计差中的至少一个参数进行修正，以降低实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
4、在一些实施例中，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差进行修正，以降低实际光刻曝光过程中光掩模中所述修正后的光掩模的沿横向的套刻误差受温度的影响。
5、在一些实施例中，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：对光掩模上的至少部分图案的多个点位的纵向注计差进行修正，以降低实际光刻曝光过程中光掩模中所述修正后的光掩模的沿纵向的套刻误差受温度的影响。
6、在一些实施例中，在实际曝光工艺过程中，进一步通过光刻机的内置修正系统修正光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差或纵向注计差中的至少一个参数，进一步降低在实际曝光过程中所述修正后的光掩模沿横向或纵向的套刻误差受温度的影响。
7、在一些实施例中，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系为预先通过多次测试未修正的光掩模在光刻曝光过程中光掩模的套刻误差随温度的变化关系，从而确定所述未修正的光掩模上不同点位的套刻误差与温度的变化关系。
8、在一些实施例中，所述方法应用于图像传感器的光刻工艺。
9、本专利技术还提供了一种在光掩模制造过程中经过修正的光掩模，其基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对所述光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
10、在一些实施例中，在实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
11、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果。
12、本专利技术实施例基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。通过预先对光掩模作预处理，从而在实际曝光工艺过程中，降低温度对光掩模的套刻误差的影响，提高了光刻工艺精度。
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1.一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：通过预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，使得实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：预先对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差或纵向注计差中的至少一个参数进行修正，以降低实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：对光掩模上的至少部分图案的多个点位的纵向注计差进行修正，以降低实际光刻曝光过程中光掩模中所述修正后的光掩模的沿纵向的套刻误差受温度的影响。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在实际曝光工艺过程中，进一步通过光刻机的内置修正系统修正光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差或纵向注计差中的至少一个参数，进一步降低在实际曝光过程中所述修正后的光掩模沿横向或纵向的套刻误差受温度的影响。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系为预先通过多次测试未修正的光掩模在光刻曝光过程中光掩模的套刻误差随温度的变化关系，从而确定所述未修正的光掩模上不同点位的套刻误差与温度的变化关系。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于图像传感器的光刻工艺。
9.一种在光掩模制造过程中经过修正的光掩模，其特征在于，基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对所述光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
10.如权利要求9所述的经过修正的光掩模，其特征在于，在实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
...【技术特征摘要】
1.一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：通过预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，使得实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差的最大值小于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差的最大值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：预先对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差或纵向注计差中的至少一个参数进行修正，以降低实际光刻曝光过程中所述修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模的套刻误差受温度的影响包括：对光掩模上的至少部分图案的多个点位的横向注计差进行修正，以降低实际光刻曝光过程中光掩模中所述修正后的光掩模的沿横向的套刻误差受温度的影响。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓龙，姚旭日，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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