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本发明公开了一种用于优化光刻曝光过程中光掩模的套刻误差的方法及光掩模。该方法包括：基于未修正的光掩模在光刻曝光过程中的套刻误差与温度的变化关系，在光掩模制造过程中，预先对光掩模上的至少部分图案进行修正，以降低实际光刻曝光过程中修正后的光掩模...
该专利属于格科半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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