背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器技术

本发明专利技术提供一种背照式图像传感器的形成方法及其图像传感器，所述形成方法包括：提供半导体基底，于半导体基底正表面形成第一外延层；于第一外延层表面形成第二外延层；于第二外延层内形成光电二极管以及MOS管；去除所述半导体基底，暴露出第一外延层。通过在背照式图像传感器的背面形成第一外延层，实现对背表面的钉扎，减少暗电流以及图像白点产生。减少暗电流以及图像白点产生。减少暗电流以及图像白点产生。

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器


[0001]本专利技术涉及图像传感器
，尤其涉及一种背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器。

技术介绍

[0002]互补式金属氧化物半导体（CMOS）工艺因其低成本、高集成度和极低的功耗，是集成电路领域占据绝对主导地位的制造工艺。近年来，基于CMOS工艺的图像传感器（CMOS Image Sensor, CIS）发展迅猛。按照进光面的不同，CIS可分为前照式（Front side illumination，FSI）CIS和背照式（Back side illumination，BSI）CIS两种，其中，背照式CIS相比于前照式CIS具有更好布后道金属连接线，更高的光敏感度（Sensitivity），更高的信噪比等优点，BSI技术逐渐成为高端、高像素CIS竞相采用的技术。
[0003]背照式CIS制程涉及晶圆的正面工艺以及背面工艺，由于背面工艺包括减薄、通孔等工序，会在背表面产生大量表面缺陷，而导致表面缺陷处的电子或空穴进入光生载流子收集区，从而引起暗电流或图像白点现象，影响背照式C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，于半导体基底正表面形成第一外延层；于第一P型外延层表面形成第二外延层；于第二P型外延层内形成光电二极管以及MOS管；去除所述半导体基底，暴露出第一外延层。2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第一外延层的步骤包括：于所述半导体基底正表面逐次进行两次或多次第一外延工艺，其中，每次第一外延工艺中的掺杂离子浓度不完全相同。3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，进行两次或多次第一外延工艺，其中，掺杂离子浓度逐次减少。4.根据权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，进行多次第一外延工艺，其中，掺杂离子浓度先增加后减少。5.根据权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在两次或多次第一外延工艺之间，还包括进行离子注入工艺，以在所述第一外延层内，形成离子注入层。6.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，付文，郑展，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：