背照式图像传感器及制作方法技术

本发明专利技术提供一种背照式图像传感器及制作方法，包括：衬底，具有相对的正面及背面；第一导电类型浅掺杂感光区，邻近所述正面设于所述衬底内；第二导电类型浅掺杂隔离区，设于所述衬底内，并邻接所述第一导电类型掺杂区的一侧；第二导电类型重掺杂第一接地区，设于所述衬底内，并相连所述第二导电类型浅掺杂隔离区且耦连地电位，并掺杂有硼离子及碳离子。本发明专利技术经硼离子源掺杂获得所述硼离子，可以有效避免Mo污染，采用硼离子及碳离子的掺杂形成第一/第二接地点，碳离子有效抑制硼离子的扩散，避免硼离子向四周扩散。避免硼离子向四周扩散。避免硼离子向四周扩散。

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器及制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种背照式图像传感器及制作方法。

技术介绍

[0002]像素区域的接地点对于维持衬底的电平稳定和确保暗电流的均匀性（dark shading）有重要作用。 其中，dark shading直接影响成像质量，是评价 CMOS图像传感器（CMOS image sensor, CIS）性能的关键指标之一，因此合理布局接地点的数量和位置是必要的。
[0003]通常，接地点位于NMOS管区域附近或像素单元之间。在定义接地点的位置时，需要进行多道刻蚀，对接地点表面附近的衬底造成明显的晶格损伤，而这些损伤在后道退火工艺中难以完全修复，因此，离子注入形成接地点时，使接地点注入区域的范围可以完全包裹住晶格损伤区域，从而实现对损伤的pinning。
[0004]然而，接地点布局在像素单元之间时，由于接地点和感光区的空间电荷区距离较近，务必严格控制其尺寸，若尺寸太小，一方面，接地点无法完全覆盖晶格损伤区域，从而导致晶格损伤区域有可能重叠空间电荷区而成为少子复合中心，使感光区暗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，具有相对的正面及背面；第一导电类型浅掺杂感光区，邻近所述正面设于所述衬底内；第二导电类型浅掺杂隔离区，设于所述衬底内，并邻接所述第一导电类型掺杂区的一侧；第二导电类型重掺杂第一接地区，设于所述衬底内，并相连所述第二导电类型浅掺杂隔离区且耦连地电位，并掺杂有硼离子及碳离子。2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型重掺杂第一接地区包括第一区及第二区，所述第一区的掺杂深度浅于所述第二区的掺杂深度，且横向尺寸大于或等于所述第二区的横向尺寸，所述第一区掺杂有碳离子，所述第二区掺杂有硼离子。3.如权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型重掺杂第一接地区还包括第三区，所述第三区的掺杂深度深于所述第二区的掺杂深度，且横向尺寸等于所述第一区的横向尺寸，并掺杂有碳离子。4.如权利要求3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型重掺杂第一接地区还包括若干过渡区，各所述过渡区设于所述第一区及所述第三区之间，且横向尺寸等于所述第一区的横向尺寸，并均掺杂有碳离子。5.如权利要求4所述的背照式图像传感器，其特征在于，自所述第一区向所述第三区，各所述过渡区的掺杂深度依次增加。6.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，若干所述第一导电类型浅掺杂感光区的一侧共同邻接所述第二导电类型浅掺杂隔离区，所述第二导电类型重掺杂第一接地区对应设于各所述第一导电类型浅掺杂感光区之间的中心位置。7.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：第一导电类型晶体管及第二导电类型重掺杂第二接地区，所述第一导电类型晶体管耦连所述第一导电类型浅掺杂感光区，并具有栅极及源/漏区，所述栅极设于所述正面上，所述源/漏区分设于所述衬底内，且对应设于所述栅极的两侧，所述第二导电类型重掺杂第二接地区邻近所述源区或漏区设于所述衬底内，并耦连地电位，且掺杂有硼离子及碳离子。8.如权利要求7所述的背照式图像传感器，其特征在于，若干所述第一导电类型晶体管的一侧相邻所述第二导电类型重掺杂第二接地区，所述第二导电类型重掺杂第二接地区对应设于各第一导电类型晶体管之间的中心位置。9.如权利要求7所述的背照式图像传感器，其特征在于，经硼离子源掺杂获...

【专利技术属性】
技术研发人员：付文，孙玉鑫，陈林，许乐，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：